X射线检测器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110034133A(43)申请公布日2019.07.19(21)申请号201811554772.4(22)申请日2018.12.19(30)优先权数据10-2017-01751402017.12.19KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金姜佑尹视藕申世镇(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王萍李彦丽(51)Int.Cl.H01L27/144(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图9页(54)发明名称X射线检测器(57)摘要本发明构思涉及一种X射线检测器。该X射线检测器包括：第一栅极线和第二栅极线，其布置为在基板上彼此间隔开；数据线和偏置线，其布置为在与第一栅极线和第二栅极线交叉的方向上彼此间隔开并且限定单位像素区域；存储电容器，其布置在单位像素区域中并且具有连接到地的一端；光电晶体管，其由施加至第一栅极线的复位信号导通并且将由入射光源生成的电荷提供给存储电容器；以及薄膜晶体管，其由施加至第二栅极线的栅极信号导通并且将存储在存储电容器中的电荷提供给数据线。CN110034133ACN110034133A权利要求书1/2页1.一种X射线检测器，包括：第一栅极线和第二栅极线，其被布置成在基板上彼此间隔开；数据线和偏置线，其被布置成在与所述第一栅极线和所述第二栅极线交叉的方向上彼此间隔开，并且所述数据线和所述偏置线限定单位像素区域；存储电容器，其布置在所述单位像素区域中，并且所述存储电容器的一端连接到地；光电晶体管，其由施加至所述第一栅极线的复位信号导通并且将由入射光源生成的电荷提供至所述存储电容器；以及薄膜晶体管，其由施加至所述第二栅极线的栅极信号导通并且将存储在所述存储电容器中的电荷提供至所述数据线。2.根据权利要求1所述的X射线检测器，其中，所述光电晶体管包括：连接至所述偏置线的漏电极，连接至所述存储电容器的源电极，以及连接至所述第一栅极线的栅电极，以及其中，所述薄膜晶体管包括：连接至所述存储电容器的源电极，连接至所述数据线的漏电极，以及连接至所述第二栅极线的栅电极。3.根据权利要求1所述的X射线检测器，其中，所述单位像素区域分别包括一个存储电容器、一个薄膜晶体管和一个光电晶体管。4.根据权利要求1所述的X射线检测器，其中，在一帧段中，在所述光电晶体管由所述复位信号导通和关断之后施加所述栅极信号，使得所述薄膜晶体管导通和关断，以发送存储在所述存储电容器中的电荷。5.根据权利要求4所述的X射线检测器，其中，所述复位信号包括在所述一帧段与下一帧段之间的复位段，所述复位段改变信号电平，使得所述光电晶体管被一次或多次地导通和关断。6.根据权利要求1所述的X射线检测器，还包括：用于接收通过所述数据线发送的电流信号的读出元件；以及用于将从所述读出元件输出的模拟信号转换为数字信号的模数转换器。7.一种X射线检测器，包括：接地线，其形成在基板上；绝缘膜，其覆盖所述基板的上表面并且露出所述接地线的一部分；第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和第二有源图案形成为在所述绝缘膜上彼此间隔开；第一栅极线，其形成在所述第一有源图案上；第二栅极线，其形成在所述第二有源图案上；第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一栅极线、所述第二栅极线、所述第一有源图案、所述第二有源图案和所述绝缘膜的上表面，并且所述第一层间绝缘膜包括露出所述接地线的一部分的接触孔；偏置线，其形成在所述第一栅极线的一侧上，并且通过所述第一层间绝缘膜与所述第一有源图案的所述上表面接触；第一电极，其形成在所述第一栅极线的另一侧上，并且通过所述第一层间绝缘膜与所述第一有源图案的所述上表面接触；2CN110034133A权利要求书2/2页第二电极，其形成在所述第二栅极线的一侧上，并且通过所述第一层间绝缘膜与所述第二有源图案的所述上表面接触；数据线，其形成在所述第二栅极线的另一侧上，并且通过所述第一层间绝缘膜与所述第二有源图案的所述上表面接触；接地电极，其沿所述接触孔的内表面形成在所述第一层间绝缘膜上，并且所述接地电极形成为与所述接地线接触；第二层间绝缘膜，其形成为覆盖所述第一层间绝缘膜上的所述偏置线、所述第一电极、所述第二电极、所述数据线和所述接地电极；第一存储电极，其通过所述第二层间绝缘膜与所述第一电极接触，并且所述第一存储电极被布置成与所述接地电极的一侧交叠；以及第二存储电极，其通过所述第二层间绝缘膜与所述第二电极接触，所述第二存储电极与所述接地电极的另一侧交叠并且被布置成与所述第一存储电极间隔开。8.根据权利要求7所述的X射线检测器，其中，所述第一栅极线和所述第二栅极线彼此间隔开并且沿第一方向延伸，其中，所述偏置线和所述数据线彼此间隔开并且沿与所述第一方向交叉