薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110021669A(43)申请公布日2019.07.16(21)申请号201811352071.2(22)申请日2018.11.14(30)优先权数据10-2017-01732982017.12.15KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人张宰满(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有苏虹(51)Int.Cl.H01L29/786(2006.01)H01L21/34(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图8页(54)发明名称薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置(57)摘要本发明涉及薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置。薄膜晶体管包括在基板上的氧化物半导体层。该氧化物半导体层包括沟道部分、连接至沟道部分的第一端的第一沟道连接部分、以及连接至沟道部分的第二端的第二沟道连接部分。第二沟道连接部分的厚度不同于第一沟道连接部分的厚度。沟道部分的第一端具有与第一沟道连接部分的厚度相同的厚度，沟道部分的第二端具有与第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。CN110021669ACN110021669A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管，包括：在基板上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道部分，连接到所述沟道部分的第一端的第一沟道连接部分，以及连接到所述沟道部分的与所述沟道部分的所述第一端相反的第二端的第二沟道连接部分；在所述氧化物半导体层的沟道部分上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的栅电极；与所述第一沟道连接部分连接的源电极；和与所述源电极间隔开的漏电极，所述漏电极与所述第二沟道连接部分连接，其中，所述第二沟道连接部分的厚度不同于所述第一沟道连接部分的厚度，以及所述沟道部分的所述第二端具有与所述第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第二沟道连接部分的厚度是所述沟道部分的所述第一端的厚度的1.3倍至1.7倍。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部分的所述第二端的至少一部分具有与所述第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部分的所述第二端的具有与所述第二沟道连接部分的厚度相同厚度的部分的长度是所述沟道部分的整个长度的5％至20％。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部分的所述第一端具有与所述第一沟道连接部分的厚度相同的厚度。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述第一沟道连接部分的厚度小于所述第二沟道连接部分的厚度。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部分的在所述沟道部分的所述第一端与所述沟道部分的所述第二端之间的部分具有大于所述第一沟道连接部分的厚度且小于所述第二沟道连接部分的厚度的厚度。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述第一沟道连接部分的厚度是所述沟道部分的在所述沟道部分的所述第一端与所述沟道部分的所述第二端之间的部分的厚度的0.3倍至0.9倍。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部分的所述第一端具有与所述第一沟道连接部分的厚度相同的厚度。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述沟道部分的与所述第一沟道连接部分厚度相同的所述第一端的长度是所述沟道部分的整个长度的5％至15％。11.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层形成为包括沟道部分，连接到所述沟道部分的第一端的第一沟道连接部分，以及连接到所述沟道部分的与所述沟道部分的所述第一端相反的第二端的第二沟道连接部分；在所述氧化物半导体层的所述沟道部分上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；形成源电极，所述源电极与所述第一沟道连接部分连接；以及形成与所述源电极间隔开的漏电极，所述漏电极与所述第二沟道连接部分连接，2CN110021669A权利要求书2/2页其中，所述第二沟道连接部分的厚度形成为与所述第一沟道连接部分的厚度不同，以及所述沟道部分的所述第二端形成为具有与所述第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。12.一种显示装置，包括：基板；包括多个像素的显示面板，每个像素包括设置在所述基板上的薄膜晶体管，至少一个薄膜晶体管包括：在所述基板上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道部分，连接到所述沟道部分的第一端的第一沟道连接部分，以及连接到所述沟道部分的与所述沟道部分的所述第一端相反的第二端的第二沟道连接部分；在所述氧化物半导体层的所述沟道部分上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的栅电极；与所述第一沟道连接部分连接的源电极；和与所述源电极间隔开的漏电极，所述漏电极与所述第二沟道连接部分连接，以及其中，所述第二沟道连接部分的厚度不同于所述