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薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置.pdf
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薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置.pdf
提供了一种薄膜晶体管、其制造方法和包括其的显示装置。所述薄膜晶体管可包括基板和形成在基板上的有源层。有源层可由氧化物半导体形成。可在有源层上方或在有源层下方形成栅极电极。导电层可与有源层接触，可与栅极电极的至少一部分重叠且可与栅极电极绝缘。源极电极和漏极电极可与有源层电连接。导电层可减小薄膜晶体管的沟道长度并增加源极电极与栅极电极之间或漏极电极与栅极电极之间的电容。
2023-12-07
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公开了一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：遮光层；遮光层上的有源层；与有源层间隔开并且与有源层的至少一部分重叠的栅极；以及在有源层与遮光层之间的无机绝缘层，其中，有源层包括载流子受体。
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本发明涉及薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置。薄膜晶体管包括在基板上的氧化物半导体层。该氧化物半导体层包括沟道部分、连接至沟道部分的第一端的第一沟道连接部分、以及连接至沟道部分的第二端的第二沟道连接部分。第二沟道连接部分的厚度不同于第一沟道连接部分的厚度。沟道部分的第一端具有与第一沟道连接部分的厚度相同的厚度，沟道部分的第二端具有与第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。
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薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置.pdf
公开了一种包括N型半导体层和P型半导体层二者的薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置，其中所述薄膜晶体管可包括：位于基板上的第一栅极电极；用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；位于所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和位于所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层。
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提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置，其中所述薄膜晶体管包括位于基板上的还原图案、与所述还原图案接触的有源层以及与所述有源层至少部分地重叠的栅电极，其中所述有源层包括沟道部分、连接到所述沟道部分的一侧的第一导电化部分、以及连接到所述沟道部分的另一侧的第二导电化部分，并且所述沟道部分与所述栅电极重叠并且不与所述还原图案重叠。
2023-12-02
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