薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763568A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211072250.7(22)申请日2022.09.02(30)优先权数据10-2021-01178362021.09.03KR10-2021-01947782021.12.31KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人高承孝(74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司11327专利代理师王伟陈英俊(51)Int.Cl.H01L29/786(2006.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图13页(54)发明名称薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置(57)摘要公开了一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：遮光层；遮光层上的有源层；与有源层间隔开并且与有源层的至少一部分重叠的栅极；以及在有源层与遮光层之间的无机绝缘层，其中，有源层包括载流子受体。CN115763568ACN115763568A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管，包括：无机绝缘层，位于基板上；以及有源层，位于所述无机绝缘层上，其中，所述有源层包括：沟道部；第一连接部，与所述沟道部的一侧接触；以及第二连接部，与所述沟道部的另一侧接触，其中，所述有源层包括氧化物半导体层，并且所述有源层包括载流子受体。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：遮光层，位于所述无机绝缘层下方；以及栅极，与所述有源层间隔开并且与所述有源层的至少一部分重叠。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括：第一有源层；以及第二有源层，位于所述第一有源层上，其中，所述载流子受体设置在所述第一有源层中。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层还包括位于所述第二有源层上的第三有源层。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述载流子受体设置在所述第一有源层与所述无机绝缘层之间的界面中。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述载流子受体包括铜Cu。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述铜Cu包括Cu+和Cu2+。8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述无机绝缘层设置在所述遮光层与所述有源层之间。9.一种显示装置，包括薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：无机绝缘层，位于基板上；以及有源层，位于所述无机绝缘层上，其中，所述有源层包括：沟道部；第一连接部，与所述沟道部的一侧接触；以及第二连接部，与所述沟道部的另一侧接触，其中，所述有源层包括氧化物半导体层，并且所述有源层包括载流子受体。10.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板上形成无机绝缘层；在所述无机绝缘层上形成第一有源材料层；在所述第一有源材料层上形成铜材料层；蚀刻所述铜材料层；2CN115763568A权利要求书2/2页对所述第一有源材料层进行热处理；以及在所述第一有源材料层上形成第二有源材料层。11.根据权利要求10所述的制造方法，还包括在所述第二有源材料层上形成第三有源材料层。12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述第一有源材料层、所述第二有源材料层和所述第三有源材料层包括氧化物半导体材料。13.根据权利要求10所述的制造方法，其中，在所述铜材料层被蚀刻后，铜存在于所述第一有源材料层的上表面上。14.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述铜材料层的厚度为2nm至5nm。15.根据权利要求10所述的制造方法，其中，对所述第一有源材料层的热处理在250℃至350℃的温度下进行。3CN115763568A说明书1/13页薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2021年9月3日提交的韩国专利申请第10‑2021‑0117836号和于2021年12月31日提交的韩国专利申请第10‑2021‑0194778号的权益，上述申请通过引用并入本文，如同在本文中完整阐述。技术领域[0003]本公开涉及一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置。背景技术[0004]根据构成有源层的材料，薄膜晶体管可以被分为使用非晶硅有源层的非晶硅薄膜晶体管、使用多晶硅有源层的多晶硅薄膜晶体管以及使用氧化物半导体有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。[0005]由于氧化物半导体薄膜晶体管TFT根据氧的含量具有较大的电阻变化，因此有利于获得所需的物理特性。此外，由于构成有源层的氧化物在氧化物半导体薄膜晶体管的制造工艺中在较低温度下变成薄膜，因此制造成本低。由于氧化物的特性，氧化物半导体是透明的，由此有利于实现透明的显示装置。[0006]优选地，用作显示装置的驱动