薄膜晶体管、其制造方法以及包含其的显示装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763570A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211075997.8(22)申请日2022.09.02(30)优先权数据10-2021-01179502021.09.03KR10-2021-01942062021.12.31KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人朴正雨(74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司11327专利代理师李琳陈英俊(51)Int.Cl.H01L29/786(2006.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图15页(54)发明名称薄膜晶体管、其制造方法以及包含其的显示装置(57)摘要提供了一种薄膜晶体管、该薄膜晶体管的制造方法以及包含该薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管包括彼此间隔开的源极和漏极，位于源极与漏极之间的第一有源层，以及与第一有源层重叠的栅极，其中，第一有源层与源极的侧面和漏极的侧面接触。CN115763570ACN115763570A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管，包括：源极和漏极，所述源极和所述漏极彼此间隔开；第一有源层，位于所述源极与所述漏极之间；以及栅极，与所述第一有源层重叠，其中，所述第一有源层与所述源极的侧面和所述漏极的侧面接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层不与所述源极的上表面和下表面接触，并且不与所述漏极的上表面和下表面接触。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层的厚度等于或小于所述源极的厚度。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，整个所述第一有源层与所述栅极重叠。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源极的蚀刻速率和所述漏极的蚀刻速率小于所述第一有源层的蚀刻速率。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源极和所述漏极中的每一个包含钛(Ti)。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的迁移率大于所述第二氧化物半导体层的迁移率。9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层覆盖所述第二氧化物半导体层的侧面和下表面。10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层不与所述源极和所述漏极接触。11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层覆盖所述第一氧化物半导体层的侧面和下表面。12.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层不与所述源极和所述漏极接触。13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括与所述源极、所述漏极以及所述第一有源层重叠的第二有源层，其中，所述第一有源层设置在所述栅极与所述第二有源层之间。14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述第二有源层与所述源极的下表面和所述漏极的下表面接触。15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述第二有源层的迁移率小于所述第一有源层的迁移率。16.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中，所述第一有源层包括第一氧化物半导体层和设置在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，并且所述第一氧化物半导体层与所述第二有源层接触。17.根据权利要求16所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的迁移率大于所述第二氧化物半导体层的迁移率。18.根据权利要求16所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层的迁移率大于2CN115763570A权利要求书2/2页所述第二有源层的迁移率。19.根据权利要求16所述的薄膜晶体管，其中，所述第二有源层的迁移率小于所述第二氧化物半导体层的迁移率。20.根据权利要求16所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层覆盖所述第二氧化物半导体层的侧面和下表面。21.根据权利要求20所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层不与所述源极、所述漏极以及所述第二有源层接触。22.一种显示装置，包括根据权利要求1至21中任意一项所述的薄膜晶体管。23.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在基板上形成第二有源材料层；在所述第二有源材料层上形成源极和漏极；在所述第二有源材料层、所述源极以及所述漏极上形成第一有源材料层；以及图案化所述第一有源材料层和所述第二有源材料层以形成第一有源层和第二有源层，其中，所述第一有源层设置在所述源极与所述漏极之间，并且与所述第二有源层接触。24.根据权利要求23所述的制造方法，其中，一起图案化所述第一有源材料层和所述第二有源材料层。25.根据权利要求23所述的制造方法，其中，形成所述第一有源材料层包括形成第一氧化物半导体