薄膜晶体管及其制造方法以及包括其的有机发光显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108269760A(43)申请公布日2018.07.10(21)申请号201711475746.8(22)申请日2017.12.29(30)优先权数据10-2016-01840432016.12.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人裵钟旭张容豪(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人杜诚刘敏(51)Int.Cl.H01L21/786(2006.01)H01L21/336(2006.01)H01L27/32(2006.01)G02F1/1368(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图12页(54)发明名称薄膜晶体管及其制造方法以及包括其的有机发光显示装置(57)摘要公开了薄膜晶体管及其制造方法以及包括其的有机发光显示装置，其中，即使不将源电极连接至驱动晶体管的底栅电极，也可以增强驱动晶体管的驱动稳定性。薄膜晶体管包括N型半导体层、在N型半导体层上的P型半导体层、在P型半导体层上的第一栅电极、在第一栅电极和P型半导体层之间的栅极绝缘层、连接至P型半导体层的第一侧的第一源电极、以及连接至P型半导体层的第二侧的第一漏电极。CN108269760ACN108269760A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管，包括：N型半导体层；在所述N型半导体层上的P型半导体层；在所述P型半导体层上的第一栅电极；在所述第一栅电极与所述P型半导体层之间的栅极绝缘层；连接至所述P型半导体层的第一侧的第一源电极；以及连接至所述P型半导体层的第二侧的第一漏电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，当所述N型半导体层的阈值电压是VthN1并且施加至所述第一漏电极的漏极电压是DV时，所述N型半导体层的阈值电压满足3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一源电极包括：与所述P型半导体层接触并且具有P型半导体特性的第一源电极层；以及布置在所述第一源电极层上的第二源电极层，并且所述第一漏电极包括：与所述P型半导体层接触并且具有P型半导体特性的第一漏电极层；以及布置在所述第一漏电极层上的第二漏电极层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述P型半导体层、所述第一源电极层和所述第一漏电极层包括相同的材料。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述P型半导体层的厚度比所述N型半导体层的厚度薄。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述N型半导体层是N型氧化物半导体层，并且所述P型半导体层是P型氧化物半导体层。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述P型半导体层包括Cu2O。8.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在第一栅极绝缘层上形成第一薄膜晶体管的第一N型半导体层和P型半导体层以及第二薄膜晶体管的第二N型半导体层；在所述P型半导体层上形成第二栅极绝缘层，并且在所述第二N型半导体层上形成所述第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成与所述P型半导体层交叠的第一栅电极，并且在所述第二栅极绝缘层上形成与所述第二N型半导体层交叠的第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形成层间电介质；形成穿过所述层间电介质并且露出所述P型半导体层的第一接触孔和第二接触孔，并且形成露出所述第二N型半导体层的第三接触孔和第四接触孔；以及在所述层间电介质上形成通过所述第一接触孔连接至所述P型半导体层的第一源电极、通过所述第二接触孔连接至所述P型半导体层的第一漏电极、通过所述第三接触孔连接至所述第二N型半导体层的第二源电极、以及通过所述第四接触孔连接至所述第二N型半导体层的第二漏电极。9.根据权利要求8所述的方法，其中，当所述第一N型半导体层的阈值电压是VthN1并且施加至所述第一漏电极的漏极电压是DV时，所述第一N型半导体层的阈值电压满足2CN108269760A权利要求书2/2页10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述P型半导体层的厚度比所述第一N型半导体层的厚度薄。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层中的每一个是N型氧化物半导体层，并且所述P型半导体层是P型氧化物半导体层。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述P型半导体层包括Cu2O。13.一种有机发光显示装置，包括：连接至扫描线和数据线的像素，其中，所述像素包括有机发光二极管、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括第一N型半导体层和布置在所述第一N型半导体层上的P型半导体层，并且所述第二薄膜晶体管包括第二N型半导体层。14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，当所述第一N型半导体层的阈值电压是VthN1并且源极电压是DV时，所述第一N型半导体层的阈值电压满足15.根据权利要求13所述