TFT基板的制作方法及TFT基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109860209A(43)申请公布日2019.06.07(21)申请号201910153583.4(22)申请日2019.02.28(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人胡小波(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂程晓(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称TFT基板的制作方法及TFT基板(57)摘要本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，首先在栅电极层上沉积形成石墨烯膜层，再对石墨烯膜层整面进行氟摻杂处理，增大其带隙宽度，使石墨烯膜层变成绝缘体，使其作为栅极阻挡层，以防止栅电极层中金属原子的扩散，再在栅极阻挡层上方沉积氧化硅层作为栅极绝缘层；通过在栅电极层上制作掺氟的石墨烯膜层作为栅极阻挡层，能够直接单独使用氧化硅层作为栅极绝缘层，避免了在栅极绝缘层中使用含氢量高的氮化硅层，减少氢对氧化物半导体层的干扰，同时又避免了氧化物半导体层和掺氟的石墨烯膜层直接接触，杜绝了氟离子对氧化物半导体层的干扰，从而提升了金属氧化物TFT的器件特性。CN109860209ACN109860209A权利要求书1/1页1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅电极层(20)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及栅电极层(20)上沉积形成一石墨烯膜层(30)；步骤S3、对所述石墨烯膜层(30)整面进行氟摻杂处理，形成栅极阻挡层(31)；步骤S4、在所述栅极阻挡层(31)上沉积形成栅极绝缘层(40)，所述栅极绝缘层(40)的材料为氧化硅；步骤S5、在所述栅极绝缘层(40)上形成氧化物半导体层(50)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用低温化学气相沉积法沉积形成所述石墨烯膜层(30)，所述石墨烯膜层(30)的厚度为3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述栅电极层(20)为铜膜与钼膜的复合层，其中，所述铜膜位于所述复合层的上层；所述步骤S4中，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积形成所述栅极绝缘层(40)。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述氧化物半导体层(50)的材料为铟镓锌氧化物。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5还包括在所述氧化物半导体层(50)及栅极绝缘层(40)上沉积并图案化形成源漏电极层(60)，在所述源漏电极层(60)、氧化物半导体层(50)及栅极绝缘层(40)上沉积形成钝化层(70)，在所述钝化层(70)上沉积并图案化形成像素电极层(80)。6.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅电极层(20)、设于所述栅电极层(20)及衬底基板(10)上的栅极阻挡层(31)、设于所述栅极阻挡层(31)上的栅极绝缘层(40)及设于所述栅极绝缘层(40)上的氧化物半导体层(50)；所述栅极阻挡层(31)的材料为掺氟的石墨烯膜；所述栅极绝缘层(40)的材料为氧化硅。7.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述栅极阻挡层(31)的厚度为8.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述栅电极层(20)为铜膜与钼膜的复合层，其中，所述铜膜位于所述复合层的上层。9.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化物半导体层(50)的材料为铟镓锌氧化物。10.如权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，还包括设于所述氧化物半导体层(50)及栅极绝缘层(40)上的源漏电极层(60)、设于所述源漏电极层(60)、氧化物半导体层(50)及栅极绝缘层(40)上的钝化层(70)及设于所述钝化层(70)上的像素电极层(80)。2CN109860209A说明书1/5页TFT基板的制作方法及TFT基板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。背景技术[0002]薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。[0003]薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管有源层的材料也具有多种，其中，金属