TFT基板的制作方法及TFT基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110137086A(43)申请公布日2019.08.16(21)申请号201910431502.2H01L21/84(2006.01)(22)申请日2019.05.22(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人韦显旺(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂程晓(51)Int.Cl.H01L21/44(2006.01)H01L21/34(2006.01)H01L29/417(2006.01)H01L29/786(2006.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称TFT基板的制作方法及TFT基板(57)摘要本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明TFT基板的制作方法，以栅极为遮蔽层对金属氧化物半导体层进行UV光照射，使金属氧化物半导体层被UV光照射的部分导体化而形成源极、漏极及像素电极，使金属氧化物半导体层被栅极遮挡的部分仍保留半导体性质而形成半导体沟道，本发明通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现了源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质，且制作方法简单，提高了生产效率。CN110137086ACN110137086A权利要求书1/2页1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到第一预备图案(31)及与所述第一预备图案(31)一侧连接的第二预备图案(33)；步骤S2、在所述衬底基板(10)及金属氧化物半导体层(30)上沉积第一金属层(40)，对该第一金属层(40)进行图案化处理得到与所述第一预备图案(31)另一侧连接的连接块(41)，对所述连接块(41)进行加热处理，从而诱导所述第一预备图案(31)与所述连接块(41)接触的部分导体化；步骤S3、在所述衬底基板(10)、金属氧化物半导体层(30)及第一金属层(40)上沉积形成栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上沉积第二金属层(60)，对该第二金属层(60)进行图案化处理得到横跨第一预备图案(31)的栅极(61)；步骤S4、以所述栅极(61)为遮蔽层，从所述衬底基板(10)上方对所述第一预备图案(31)及第二预备图案(32)进行UV光照射，使得第一预备图案(31)对应位于所述栅极(61)两侧且分别连接所述连接块(41)和第二预备图案(32)的部分在UV光照射下导体化形成相间隔的源极(71)和漏极(72)，使得第二预备图案(32)在UV光照射下导体化形成像素电极(75)，使得第一预备图案(31)位于所述源极(71)和漏极(72)之间被所述栅极(61)遮挡的部分形成半导体沟道(73)。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括，在沉积金属氧化物半导体层(30)之前，在所述衬底基板(10)上形成有机光阻凸台(20)，所述第一预备图案(31)在所述衬底基板(10)上对应覆盖所述有机光阻凸台(20)。3.如权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有机光阻凸台(20)的材料为遮光材料；所述有机光阻凸台(20)的高度大于2μm。4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(40)与所述金属氧化物半导体层(30)接触的部分为金属诱导层，该金属诱导层的材料为铝。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中经图案化处理后的第一金属层(40)还包括与所述连接块(41)连接的数据线(45)(权利要求里的元件要对应在附图示出)；所述步骤S3中经图案化处理后的第二金属层(60)还包括与所述数据线(45)垂直绝缘交叉并与所述栅极(61)连接的栅极线(65)。6.一种TFT基板，其特征在于，包括衬底基板(10)及由下至上依次沉积于所述衬底基板(10)上的金属氧化物半导体层(30)、第一金属层(40)、栅极绝缘层(50)、第二金属层(60)；所述金属氧化物半导体层(30)包括半导体沟道(73)及导体化的源极(71)、漏极(72)、像素电极(75)；所述第一金属层(40)包括与所述源极(71)连接的连接块(41)；所述第二金属层(60)包括对应覆盖所述半导体沟道(73)的栅极(61)；所述像素电极(75)与所述漏极(72)连接，所述源极(71)和漏极(72)分别从半导体沟道(73)两侧连接半导体沟道(73)并由所述半导体沟道(73)间隔开，所述源极(71)和漏极(72)相对的内