TFT的制造方法及TFT基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108257873A(43)申请公布日2018.07.06(21)申请号201810039103.7(22)申请日2018.01.15(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430000湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人喻蕾李松杉(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280代理人钟子敏(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称TFT的制造方法及TFT基板(57)摘要本发明公开一种TFT的制造方法及TFT基板。在刻蚀形成多晶硅图案的过程中，多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被光刻胶图案的镂空区暴露，然后采用第一刻蚀气体对多晶硅层进行干刻蚀，以去除多晶硅层的未被光刻胶图案遮盖的突起，再采用第二刻蚀气体对多晶硅层进行干刻蚀，以去除多晶硅层的未被光刻胶图案遮盖的部分。基于此，本发明能够有利于完全刻蚀去除未被光刻胶图案遮盖的多晶硅层，避免刻蚀残留。CN108257873ACN108257873A权利要求书1/2页1.一种TFT的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极图案、栅极绝缘层和非晶硅层，所述非晶硅层为覆盖所述栅极绝缘层的一整面结构；对所述非晶硅层进行退火处理以形成多晶硅层，所述多晶硅层的表面分布有多个突起；在所述多晶硅层上覆盖光刻胶图案，所述多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被所述光刻胶图案的镂空区暴露；采用第一刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的突起；采用第二刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以完全去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的部分，以此形成多晶硅图案；去除所述光刻胶图案；在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述多晶硅图案的介质隔离层，所述介质隔离层开设有相对间隔设置的两个通孔，所述两个通孔分别暴露所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区；在所述介质隔离层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案和漏极图案各填充一个所述通孔并分别与所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区接触。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括六氟化硫SF6和氧气O2的混合气体。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括四氟化碳CF4和O2的混合气体。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体包括氯气Cl2和O2的混合气体。5.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：衬底基板；栅极图案，形成于所述衬底基板上；栅极绝缘层，形成于所述衬底基板上且覆盖所述栅极图案；多晶硅图案，形成于所述栅极绝缘层上且位于所述栅极图案上方，所述多晶硅图案的表面分布有多个突起；介质隔离层，形成于所述栅极绝缘层上且覆盖所述多晶硅图案，所述介质隔离层开设有相对间隔设置的两个通孔，所述两个通孔分别暴露所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区；源极图案和漏极图案，同层间隔设置于所述介质隔离层上，所述源极图案和漏极图案各填充一个所述通孔并分别与所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区接触。6.一种TFT的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一整面的非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火处理以形成多晶硅层，所述多晶硅层的表面分布有多个突2CN108257873A权利要求书2/2页起；在所述多晶硅层上覆盖光刻胶图案，所述多晶硅层的一部分被光刻胶图案的非镂空区遮盖，另一部分被所述光刻胶图案的镂空区暴露；采用第一刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的突起；采用第二刻蚀气体对所述多晶硅层进行干刻蚀，以完全去除所述多晶硅层的未被所述光刻胶图案遮盖的部分，以此形成多晶硅图案；去除所述光刻胶图案；在所述衬底基板上形成覆盖所述多晶硅图案的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成位于所述多晶硅图案上方的栅极图案；在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述栅极图案的介质隔离层，其中所述介质隔离层和所述栅极绝缘层被相对间隔设置的两个通孔贯穿，所述两个通孔分别暴露所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区；在所述介质隔离层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案和漏极图案各填充一个所述通孔并分别与所述多晶硅图案的源极接触区和漏极接触区接触。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括六氟化硫SF6和氧气O2的混合气体。8.根据权利要求6所述的制造方法，其特