一种OLED器件结构及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107863446A(43)申请公布日2018.03.30(21)申请号201711108575.5(22)申请日2017.11.11(71)申请人福州大学地址350108福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区(72)发明人周雄图翁雅恋张永爱郭太良李福山杨尊先叶芸(74)专利代理机构福州元创专利商标代理有限公司35100代理人蔡学俊陈章霖(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称一种OLED器件结构及制备方法(57)摘要本发明涉及一种OLED器件结构及制备方法，该OLED器件结构包括一基板；一第一水氧阻隔层，设置于基板上方，由具有高低折射率的两种薄膜的堆叠，一方面用于增加OLED发射光的出光效率，另一方面作为封装层，用于阻隔水汽和氧气；一OLED单元，设于第一水氧阻隔层上方；一第二水氧阻隔层，设于OLED单元上方，由具有高低折射率的两种薄膜的堆叠，一方面用于反射OLED光，另一方面作为封装层，用于阻隔水汽和氧气。与现有技术相比，本发明虽然结构复杂，但操作简单、材料易购买、效果显著，能有效提高OLED器件的寿命和光提取效率。CN107863446ACN107863446A权利要求书1/2页1.一种OLED器件结构，其特征在于，包括由下至上依次设置的基板、第一水氧阻隔层、OLED单元和第二水氧阻隔层；所述第一水氧阻隔层通过第一低折射率薄膜和第一高折射率薄膜由下至上依次按交替周期数m+0.5交替形成，m取值为正整数，0.5表示第一水氧阻隔层的最顶层为第一低折射率薄膜，所述第一低折射率薄膜的折射率小于第一高折射率薄膜的折射率；所述第二水氧阻隔层通过第二高折射率薄膜和第二低折射率薄膜由下至上依次按交替周期数n+0.5交替形成，n取值为正整数，0.5表示第二水氧阻隔层的最顶层为第二高折射率薄膜，所述第二低折射率薄膜的折射率小于第二高折射率薄膜的折射率。2.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述第一水氧阻隔层和第二水氧阻隔层的位置对换。3.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述第一低折射率薄膜和第二低折射率薄膜的折射率范围为1-2，所述第一高折射率薄膜和第二高折射率薄膜的折射率范围为1.8-3；所述第一低折射率薄膜和第一高折射率薄膜的折射率差值范围为0.8-2，所述第二低折射率薄膜和第二高折射率薄膜的折射率差值范围为0.8-2。4.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述第一水氧阻隔层对所需透过的光的透光率在50%以上，所述第二水氧阻隔层对所限制的光的反射率在50%以上。5.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，正整数n和m取值范围为1-10。6.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述第一低折射率薄膜和第一高折射率薄膜的材料组合包括但不限于：Al2O3/TiO2、SiO2/TiO2、Al2O3/Ta2O5、SiO2/HfO2、Al2O3/HfO2；所述第二高折射率薄膜和第二低折射率薄膜的材料组合包括但不限于：TiO2/Al2O3、TiO2/SiO2、Ta2O5/Al2O3、HfO2/SiO2、HfO2/Al2O3。7.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述OLED单元包括由下至上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。8.根据权利要求7所述的一种OLED器件结构，其特征在于，所述第一水氧阻隔层和阳极的截面均呈L字形，第一水氧阻隔层的短边位于电子注入层之上，第一水氧阻隔层的长边竖直向下且第一水氧阻隔层的长边内壁紧贴空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极的竖直端面，所述阳极的长边位于空穴注入层之下，阳极的短边竖直向上并紧贴第一水氧阻隔层的长边端部外壁。9.根据权利要求1所述的一种OLED器件结构，其特征在于，该OLED器件结构提供蓝色、红色或绿色的单色光源，并根据RGB三色分别设计第一水氧阻隔层和第二水氧阻隔层的阻隔膜结构，实现全彩显示。10.一种如权利要求1所述OLED器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：准备基板，将基板洗净、烘干，然后进行等离子处理或UV处理；S2：采用原子层沉积或电子束蒸镀法制备第一水氧阻隔层；S3：在第一水氧阻隔层上制备OLED单元；S4：采用原子层沉积或电子束蒸镀法制备第二水氧阻隔层；2CN107863446A权利要求书2/2页其中，在制备第一水氧阻隔层之前，首先确定第一低折射率薄膜和第一高折射率薄膜