一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103258965A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103258965103258965A(43)申请公布日2013.08.21(21)申请号201310152877.8(22)申请日2013.04.27(71)申请人四川虹视显示技术有限公司地址611731四川省成都市高新区(西区)科新西街168号(72)发明人高娟高昕伟唐凡邹成陈珉(74)专利代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227代理人周永宏(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书4页说明书4页附图1页附图1页(54)发明名称一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构，包括基板和依次叠加在基板上的反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极及薄膜封装层，还包括封装缓冲层，所述封装缓冲层设置于半透明阴极与薄膜封装层之间，为一层厚度为1-10nm，发红光、绿光、蓝光或黄光的有机小分子类荧光发光材料；本发明还公开了该封装结构的制备方法。本发明所设置的封装缓冲层，一方面通过吸收来自顶发射OLED器件发光层的第一光谱的光并发射出第二光谱的光，保证器件具有高的色纯度；另一方面，减少了薄膜封装时等离子体和溅射粒子对电极及发光层的损伤，提高良品率；本发明及其制备方法，原理简单，操作方便，便于在业内推广使用。CN103258965ACN10325896ACN103258965A权利要求书1/1页1.一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构，包括基板和依次叠加在基板1上的反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极及薄膜封装层，其特征在于：还包括封装缓冲层，所属封装缓冲层设置于半透明阴极与薄膜封装层之间。2.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述封装缓冲层为发红光、绿光、蓝光或黄光的有机小分子类荧光发光材料。3.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发红光的荧光发光材料为香豆素、芳香族化合物及其衍生物。4.根据权利要求3所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发红光的荧光发光材料为DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53，DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、Rubrene、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2、BZTA2，TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、Asym-TPP和DMPDPP、DBP。5.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发绿光的荧光发光材料为香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多环芳香族碳氢化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline类的绿光荧光掺杂物。6.根据权利要求5所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发绿光的荧光发光材料为TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。7.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发蓝光的荧光发光材料为TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。8.根据权利要求2所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述发黄光的荧光发光材料为DCJP、Rrubrene、DPPO。9.根据权利要求1所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构，其特征在于：所述封装缓冲层的厚度为1-10nm。10.权利要求1-9任一项权利要求所述的顶发光OLED器件的薄膜封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1采用热蒸镀法将反射阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、半透明阴极依次制备至基板上；步骤2在镀好的半透明阴极上采用热蒸镀法制备封装缓冲层；步骤3采用等离子化学气相沉积法在封装缓冲层上制备一层聚合物薄膜封装层；步骤4采用低功率溅射法在聚合物封装层上制备一层无机化合物薄膜封装层，一层聚合物薄膜封装层与一层无机化合物薄膜封装层一起构成一层薄膜封装层；步骤5将步骤3-4重复1至10次，完成封装。2CN103258965A说明书1/4页一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法技术领域[0001]本发明属于显示器领域，具体涉及一种顶发光OLED器件的薄膜封装结构及其制备方法。背景技术[0002]OLED具有主动发光、电压需求低、省电等特点，加上反应快、重量轻、厚度薄、构造简单、成本低廉等优点，具备LCD不可比拟的优势，正逐渐进入主流显示市场