光器件晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101866881A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101866881A(43)申请公布日2010.10.20(21)申请号201010156577.3(22)申请日2010.04.07(30)优先权数据2009-1022472009.04.20JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人梶山启一(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人陈坚(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)H01L21/68(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图11页(54)发明名称光器件晶片的加工方法(57)摘要本发明提供一种光器件晶片的加工方法，即使将光器件晶片的厚度形成得很薄也不会破损，并且能在细微的碎片不会附着于光器件表面的情况下将光器件晶片分割成一个个光器件。光器件晶片的加工方法是将光器件晶片分割成一个个光器件的方法，其包括：保护板粘贴工序，使用双面粘接带将由透明部件形成的刚性高的保护板的表面以能剥离的方式粘贴于蓝宝石基板的表面；蓝宝石基板磨削工序，对蓝宝石基板背面进行磨削；变质层形成工序，从基板背面侧照射激光光线，从而在基板内部沿间隔道形成变质层；保护板剥离工序，将双面粘接带留在基板侧并剥离保护板；和晶片分割工序，使基板以在表面残存有双面粘接带的状态沿间隔道断裂而分割成一个个光器件。CN1086ACN101866881A权利要求书1/1页1.一种光器件晶片的加工方法，其是将光器件晶片沿着多条间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法，在所述光器件晶片中，在蓝宝石基板的表面通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出多个区域，在该多个区域中形成有光器件，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，该光器件晶片的加工方法包括以下工序：保护板粘贴工序，在该保护板粘贴工序中，使用双面粘接带将由透明部件形成的刚性高的保护板的表面以能够剥离的方式粘贴于蓝宝石基板的表面，其中，所述双面粘接带通过在遮挡紫外线的片材的正反面铺设粘接层而构成，该粘接层的粘接力通过照射紫外线而降低；蓝宝石基板磨削工序，在该蓝宝石基板磨削工序中，对粘贴有所述保护板的蓝宝石基板的背面进行磨削，从而形成为器件的完成厚度；变质层形成工序，在该变质层形成工序中，从蓝宝石基板的背面侧将聚光点对准蓝宝石基板的内部沿着间隔道照射激光光线，在蓝宝石基板的内部沿着间隔道形成变质层，上述激光光线为相对于蓝宝石基板具有透射性的波长的激光光线；晶片支承工序，在该晶片支承工序中，将实施了变质层形成工序的蓝宝石基板的背面粘贴到安装于环状框架的切割带的表面；保护板剥离工序，在该保护板剥离工序中，通过从粘贴于蓝宝石基板表面的保护板侧透过保护板向双面粘接带照射紫外线，来使双面粘接带中的靠保护板侧的粘接层的粘接力降低，将双面粘接带残留在蓝宝石基板侧而将保护板剥离，其中，所述蓝宝石基板粘贴于切割带的表面；以及晶片分割工序，在该晶片分割工序中，对蓝宝石基板施加外力，使蓝宝石基板沿着形成有变质层的间隔道断裂从而分割成一个个光器件，其中，保护板已被从所述蓝宝石基板剥离，所述蓝宝石基板以在其表面残留有双面粘接带的状态粘贴于切割带。2.根据权利要求1所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，在实施了所述晶片分割工序后，实施以下两个工序：双面粘接带剥离工序，在该双面粘接带剥离工序中，通过从切割带侧透过切割带和蓝宝石基板向双面粘接带照射紫外线，来使双面粘接带中的靠蓝宝石基板侧的粘接层的粘接力降低，从而将双面粘接带剥离；以及拾取工序，在该拾取工序中，对粘贴于切割带的已被分割成一个一个的光器件进行拾取。2CN101866881A说明书1/8页光器件晶片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法，该光器件晶片中，在蓝宝石基板的表面通过形成为格子状的间隔道划分有多个区域，并且在该划分出的区域层叠有氮化镓类化合物半导体等光器件。背景技术[0002]光器件晶片在蓝宝石基板的表面通过形成为格子状的被称为间隔道的分割预定线划分有多个区域，并且在该划分出的区域层叠有氮化镓类化合物半导体等光器件，所述光器件晶片沿间隔道被分割成一个个发光二极管等光器件，并广泛应用于电气设备。[0003]近年来，作为分割半导体晶片等板状被加工物的方法，也尝试了这样的激光加工方法：使用相对于该被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，将聚光点对准应分割区域的内部地照射脉冲激光光线。关于使用了该激光加工的晶片的分割方法，从晶片的一个面侧将聚光点对准内部来照射相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿间隔道连续地形成变质层，对通过形成该变质层而降低了强度的晶片施加外力，由此来将晶片分割成一个个器件。(例如