光器件晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110911530A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201910751839.1(22)申请日2019.08.15(30)优先权数据2018-1595932018.08.28JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人小柳将(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人沈娥褚瑶杨(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)B23K26/00(2014.01)权利要求书1页说明书11页附图7页(54)发明名称光器件晶片的加工方法(57)摘要本发明提供光器件晶片的加工方法，降低在光器件层中产生的崩边和裂纹等。该光器件晶片的加工方法将光器件晶片的光器件层转移到移设部件，其中，该光器件晶片的加工方法包括下述步骤：分割槽形成步骤，沿着分割预定线在该光器件层侧形成未将光器件晶片的缓冲层完全断开的分割槽；移设部件接合步骤，将移设部件接合至光器件层的表面；激光束照射步骤，从结晶性基板的背面侧照射具有对于结晶性基板来说为透过性、对于缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光束；以及结晶性基板剥离步骤，将结晶性基板从光器件层剥离，将光器件层移设到移设部件，在激光束照射步骤中，使在分割槽形成步骤未被断开而残留的缓冲层、或者缓冲层与光器件层的一部分变质。CN110911530ACN110911530A权利要求书1/1页1.一种光器件晶片的加工方法，其将光器件晶片的光器件层转移到移设部件，所述光器件晶片是将在由多条分割预定线划分的多个区域分别设置有光器件的该光器件层隔着缓冲层而层积在结晶性基板的表面而成的，该加工方法的特征在于，包括下述步骤：分割槽形成步骤，沿着分割预定线在该光器件层侧形成未将该光器件晶片的该缓冲层完全断开的分割槽；移设部件接合步骤，在该分割槽形成步骤后，将该移设部件接合至该光器件层的表面；激光束照射步骤，从位于接合有该移设部件的该光器件晶片的与该移设部件相反侧的该结晶性基板的背面侧照射具有对于该结晶性基板来说为透过性、对于该缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光束；以及结晶性基板剥离步骤，在该激光束照射步骤后，将该结晶性基板从该光器件层剥离，将该光器件层移设到该移设部件，在该激光束照射步骤中，使在该分割槽形成步骤中未被断开而残留的该缓冲层、或者该缓冲层与该光器件层的一部分变质。2.如权利要求1所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，在该分割槽形成步骤中，通过蚀刻形成该分割槽，该加工方法还包括抗蚀剂膜被覆步骤，在该分割槽形成步骤之前，将位于该光器件层的该表面侧的除该分割预定线以外的区域利用抗蚀剂膜被覆。3.如权利要求1或2所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，在该激光束照射步骤中，该脉冲激光束所照射的该缓冲层的厚度、或者该缓冲层与该光器件层的一部分的合计厚度为1μm以下。2CN110911530A说明书1/11页光器件晶片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及将设置于光器件晶片的光器件层转移至移设部件的光器件晶片的加工方法。背景技术[0002]已知有沿着分割预定线对以氧化物单晶作为母材的晶片照射激光束而对晶片进行分割的技术(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中的晶片的表面侧设置有多个功能性器件(例如光器件)，多个功能性器件分别利用多条交叉的分割预定线进行划分。[0003]作为光器件的一例，已知有LED(发光二极管，LightEmittingDiode)等发光元件。LED例如具有：缓冲层，其位于蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板等结晶性基板上；以及由氮化镓(GaN)等半导体材料构成的n型和p型半导体层，其位于缓冲层上，通过外延生长而形成。[0004]另外，与n型氮化镓层相接地设置阴极电极，与p型氮化镓层相接地设置阳极电极。在阳极和阴极电极间形成规定的电位差时，光器件层发光。[0005]另外，作为提高LED亮度的技术，已知有被称为激光剥离法(LLO：LaserLiftOff)的加工方法(例如，参照专利文献2)。在专利文献2所记载的激光剥离法中，首先在蓝宝石基板上形成氮化镓系的外延生长层。[0006]接着，照射透过蓝宝石基板且仅由位于蓝宝石基板与氮化镓系的外延生长层的界面附近的氮化镓层吸收的波长的激光束，将氮化镓层的一部分热分解。[0007]热分解的氮化镓层的一部分形成氮气和金属镓层，因此通过将金属镓层加热至熔点以上、或者将金属镓层经湿蚀刻除去，从而将蓝宝石基板与氮化镓系的外延生长层分离。[0008]需要说明的是，专利文献2中还记载了将蓝宝石基板上的外延生长层转移至保持基板的转移方法。例如，在氮化镓系的外延生长层上粘贴由硅(Si)构成的保持基板后，照射激光束将氮化镓层的一部分热分解，将蓝宝石基板与外延生长层