晶片和晶片的加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107808898A(43)申请公布日2018.03.16(21)申请号201710779489.0(22)申请日2017.09.01(30)优先权数据2016-1768792016.09.09JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人西原亮辅小出纯辻本浩平松泽稔(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人于靖帅乔婉(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称晶片和晶片的加工方法(57)摘要提供晶片和晶片的加工方法，既能够确保形成有器件的区域较大又能够抑制缺陷的产生。一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与器件区域对应，该第2部分围绕第1部分，比第1部分厚地向背面侧突出，在磨削步骤中，使磨削磨轮和晶片相对地移动以使得第1部分的背面与第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。CN107808898ACN107808898A权利要求书1/1页1.一种晶片，其特征在于，该晶片具有：第1部分，其在正面侧具有多个器件；以及环状的第2部分，其围绕该第1部分，该第2部分比该第1部分厚地向背面侧突出，该第1部分的背面与该第2部分的内侧的侧面所呈的角度比45°大且比75°小。2.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，该第1部分的背面与该第2部分的内侧的侧面所呈的角度为55°以上70°以下。3.一种晶片的加工方法，该晶片在正面侧具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其特征在于，该晶片的加工方法包含如下的磨削步骤：使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的与该器件区域对应的背面侧进行磨削，形成第1部分和环状的第2部分，其中，该第1部分与该器件区域对应，该第2部分围绕该第1部分，比该第1部分厚地向背面侧突出，在该磨削步骤中，使该磨削磨轮和晶片相对地移动以使得该第1部分的背面与该第2部分的内侧的侧面形成比45°大且比75°小的角度。4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其特征在于，在该磨削步骤中，使该磨削磨轮和晶片相对地移动以使得该第1部分的背面与该第2部分的内侧的侧面形成55°以上70°以下的角度。2CN107808898A说明书1/5页晶片和晶片的加工方法技术领域[0001]本发明涉及晶片和晶片的加工方法。背景技术[0002]近年来，为了实现小型轻量的器件芯片，要求将由硅或砷化镓等材料制成的晶片加工得较薄。关于晶片，例如当在正面的由分割预定线(间隔道)划分的各区域中形成IC等器件之后，其背面侧被磨削至希望的厚度。[0003]另一方面，当通过磨削等使晶片变薄时，因晶片的刚性大幅降低而使后续工序中的操作变难。因此，提出了如下的加工方法：通过仅对形成有器件的晶片的中央部分进行磨削而维持外周部分的厚度，从而对磨削后的晶片保留某种程度的刚性(例如，参照专利文献1)。[0004]在该加工方法中，例如，使用直径比晶片小的磨削磨轮对晶片的背面侧进行磨削，使中央部分变薄。晶片的刚性是由维持了厚度的外周部分来保持的。另外，之后，使用对该外周部分与中央部分的边界照射激光束的方法等将该外周部分分离、去除(例如，参照专利文献2)。[0005]但是，当中央部分的背面与外周部分的内侧的侧面(中央部分侧的侧面)通过磨削而变为垂直时，在进行之后的处理等时，外周部分的内侧的缘部容易产生缺陷。当对外周部分的内侧的缘部产生了缺陷的晶片实施蚀刻等处理时，侵蚀会从产生了缺陷的区域进入，外周部分会变脆。[0006]并且，当外周部分的内侧的侧面相对于中央部分的背面垂直时，还存在很难将在各种工序中使用的药液(例如，在再配线层的形成中使用的抗蚀液)排出到外部的问题。因此，近年来，提出了使外周部分的内侧的侧面相对于中央部分的背面倾斜的加工方法(例如，参照专利文献3)。[0007]专利文献1：日本特开2007-19461号公报[0008]专利文献2：日本特开2008-53341号公报[0009]专利文献3：日本特开2011-54808号公报[0010]但是，如果仅仅只是使外周部分的内侧的侧面相对于中央部分的背面倾斜，则中央部分变窄，无法充分确保器件形成所需的空间。并且，在对晶片进行磨削时，因与磨具接触等而使外周部分的内侧的缘部产生缺陷的情况也变多。发明内容[0011]本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法和利用该晶片的加工方法加工而得的晶