加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113451155A(43)申请公布日2021.09.28(21)申请号202110318330.5H01L23/13(2006.01)(22)申请日2021.03.25H01L23/15(2006.01)H01L23/49(2006.01)(30)优先权数据20165985.12020.03.26EP(71)申请人英飞凌科技奥地利有限公司地址奥地利菲拉赫(72)发明人C·范柯林斯基D·佩多内M·皮钦R·鲁普戴秋莉黄佳艺(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人周家新(51)Int.Cl.H01L21/52(2006.01)H01L21/04(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图9页(54)发明名称加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件(57)摘要提供了一种用于加工半导体晶片的方法。一种半导体晶片包括第一主表面和第二主表面。在半导体晶片内部产生缺陷，以限定出平行于第一主表面的脱离平面。加工第一主表面而限定出多个电子半导体部件。提供了一种玻璃结构，所述玻璃结构包括多个开口。所述玻璃结构附接到经加工的第一主表面，所述多个开口中的每个分别使多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖。聚合物层被施加到第二主表面，并且通过将聚合物层冷却到其玻璃化转变温度以下，沿着脱离平面将半导体晶片分裂成半导体切片和剩留的半导体晶片。所述半导体切片包括所述多个电子半导体部件。CN113451155ACN113451155A权利要求书1/2页1.一种用于加工半导体晶片的方法，所述方法包括：提供包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面的半导体晶片；在半导体晶片内部产生缺陷，所述缺陷限定出平行于所述第一主表面的脱离平面；加工所述第一主表面，以限定出多个电子半导体部件；提供玻璃结构，所述玻璃结构包括多个开口；将玻璃结构附接到经加工的第一主表面，所述多个开口中的每个分别使所述多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖；将聚合物层施加到第二主表面；通过将聚合物层冷却到其玻璃化转变温度以下，将半导体晶片分裂成半导体切片和剩留的半导体晶片，所述半导体切片在第一主表面与脱离平面之间延伸并且包括所述多个电子半导体部件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在将所述半导体切片从所述半导体晶片分裂之前，将另外的聚合物层施加到所述第一主表面。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体切片的厚度为大约或小于100μm、优选为大约或小于50μm。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述玻璃结构的厚度是所述半导体切片的厚度的至少四倍。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述多个电子部件通过切口线分离，所述切口线被所述玻璃结构覆盖。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括：将带有所述附接的玻璃结构的所述半导体切片沿着所述切口线划分割成半导体芯片。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：将夹电连接到焊盘，所述焊盘布置在所述第一主表面上未被所述玻璃结构覆盖的相应区域中。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述夹包括：长度大于连接到焊盘的玻璃结构的厚度的第一部分；以及被构造成延伸到端子的第二部分。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述夹包括以下中的至少一个：‑形成铆接到第二部分的第一部分的铆钉；‑被弯曲以形成第一部分和第二部分的单件。10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，将所述夹连接到所述焊盘包括将粘合剂填充到所述玻璃结构的相应开口中。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：用剩留的半导体晶片作为半导体晶片重新开始所述方法。12.一种半导体晶片，包括：第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面；半导体晶片内部的平行于第一主表面的脱离平面，所述脱离平面由缺陷限定；形成在第一主表面处且在第一主表面与脱离平面之间的多个电子半导体部件；附接到第一主表面的玻璃结构，所述玻璃结构包括多个开口，所述多个开口中的每个分别使所述多个电子半导体部件的相应区域未被覆盖。2CN113451155A权利要求书2/2页13.一种用于电连接布置在玻璃结构中的开口的底部上的焊盘的夹，所述夹包括以下中的至少一个：‑形成夹的第一部分的铆钉，所述铆钉铆接到所述夹的第二部分；‑被弯曲以形成第一部分和第二部分的单件金属片，其中，所述第二部分被构造成延伸到端子，所述第一部分具有为开口的宽度的大约一半或更大的宽度，并且被构造成直通延伸到所述开口的底部。14.一种半导体器件，包括：具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面的半导体芯片，所述第一主表面包括焊盘和玻璃结构，所述玻璃结构包括开口，所述开口的边沿包围所述