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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN101956182A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN101956182A(43)申请公布日2011.01.26(21)申请号201010296332.0(22)申请日2010.09.29(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所地址215123江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号(72)发明人王国斌朱建军邱凯张永红(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称用于化学气相沉积设备中的气体墙结构(57)摘要本发明涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括沿周向均匀分布的多个进气缝隙、一延伸壁和一导流壁,延伸壁和导流壁沿进入该气隙结构的气流运动方向依次分布在内管内腔中,延伸壁一端固定在内管内壁上,另一端盖过进气缝隙,导流壁为设置在内管内壁上的倾斜面。本发明藉设于一系列交错相连的壁面之间的进气缝隙,令由进气缝隙进入的气体在壁面内侧形成气体墙,从而补偿反应源的沿程损失或者防止壁面的寄生沉积。本发明可应用在化学气相沉积设备中的不同位置。CN1095682ACN101956182A权利要求书1/1页1.一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述气体墙结构包括外管(2)和内管,内管设置在外管内腔中,且内管外壁和外管内壁之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的一个以上进气口(1)连通,所述内管上沿轴向还分布复数个连通内管内腔和所述均匀间隙的气隙结构;其中,每一气隙结构包括沿周向均匀分布的两个以上进气缝隙(4)、一环形延伸壁(7)和一环形导流壁(6),所述延伸壁(7)和导流壁(6)沿进入该气隙结构的气流运动方向依次分布在内管内腔中,所述延伸壁(7)一端固定在内管内壁上,另一端盖过进气缝隙(4),并与进气缝隙(4)、内管内壁共同构成气流通道,所述导流壁(6)为设置在内管内壁上的环形倾斜面,该倾斜面自其靠近进气缝隙(4)的一端起向内管中心处倾斜。2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述延伸壁(7)另一端位于进气缝隙(4)和导流壁(6)之间。3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述进气口(1)为一个,其设置在外管(2)的中部。4.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述进气口(1)为两个以上,其均匀分布在外管(2)上。5.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述进气口(1)为一个,其设置在外管(2)的一侧,且沿气流运行方向,外管与内管之间的间隙逐渐减小。6.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述内管包括复数个内部单元管(3),相邻两个内部单元管按照首尾相接的方式依次排布,且每一内部单元管(3)首端部沿周向均匀设置二个以上进气缝隙(4),尾端部设置延伸壁(7),且进气缝隙(4)与延伸壁之间的管体内壁上设置导流壁(6)。7.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述每一内部单元管(3)的首端部设置内螺纹(5),尾端部设置外螺纹(8),相邻两个内部单元管(3)的首端部与尾端部以所述内螺纹(5)和外螺纹(8)固定组接。8.根据权利要求1或6所述的用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,其特征在于:所述的进气缝隙(4)为条状或带状。2CN101956182A说明书1/4页用于化学气相沉积设备中的气体墙结构技术领域[0001]本发明涉及一种化学气相沉积设备,具体涉及一种用于化学气相淀积设备中的气体墙结构。背景技术[0002]用化学气相淀积方法(ChemicalVaporDeposition,简称CVD)淀积薄膜材料,通常需要各种原材料和载入气体,原材料包括参与化学反应并形成薄膜产物的原料成分;载气包括各种携带原材料的气体,如氢气、氮气等,这些载气只载入原材料进入反应室,本身并不参与化学反应。[0003]CVD薄膜淀积过程都包含以下步骤:(1)载气携带着反应物从反应器进口,在反应室的壁面约束下流向反应器出口,此主气流流动受到温差、流道扩张、基片旋转等引起的强烈影响;(2)主气流在基片上方形成平行于基片的三种边界层;在边界层内反应物被加热,发生分解、置换等气相化学反应,生成反应中间产物;(3)反应物或反应中间物通过对流和浓度扩散,穿透边界层到达基片表面;(4)反应物在基片表面吸附,再通过表面扩散、结合入晶格等表面反应步骤完成薄膜淀积;(5)反应物和反应副产物在表