用于化学气相沉积设备中的气体墙结构.pdf
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用于化学气相沉积设备中的气体墙结构.pdf
本发明涉及一种用于化学气相沉积设备中的气体墙结构,包括设置于外管内腔中的内管,内、外管之间留有均匀间隙,该间隙与设置在外管上的进气口连通,内管上沿轴向分布多个连通内管内腔和上述均匀间隙的气隙结构,其中每一气隙结构包括沿周向均匀分布的多个进气缝隙、一延伸壁和一导流壁,延伸壁和导流壁沿进入该气隙结构的气流运动方向依次分布在内管内腔中,延伸壁一端固定在内管内壁上,另一端盖过进气缝隙,导流壁为设置在内管内壁上的倾斜面。本发明藉设于一系列交错相连的壁面之间的进气缝隙,令由进气缝隙进入的气体在壁面内侧形成气体墙,从而
用于化学气相沉积工艺的设备.pdf
本发明提供了一种用于化学气相沉积工艺的设备,该设备包括:公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统,其中,公共腔上连接有多个工艺腔,用于为多个工艺腔输送工件,且工艺腔通过控制阀与真空泵及氮气系统连通。该技术方案,利用控制阀直接将氮气系统与工艺腔相连通,从而不需要公共腔便可将工艺腔内恢复成大气状态,一方面工艺腔内的残留物质不能进入到公共腔,从而确保了公共腔及其它工艺腔的整洁度,进而确保了其它工艺腔内的工件的质量,另一方面,减少了清洗公共腔及将公共腔抽成真空的环节,从而提高了工件的加工效率。
用于气体气相沉积的负载膜暗盒.pdf
本发明公开了在气体气相沉积期间用于支撑膜的暗盒,所述暗盒具有第一端板和第二端板。每个端板上的肋均形成螺旋凹槽,所述螺旋凹槽沿边缘接纳具有大于300mm宽度的螺旋膜缠绕。膜缠绕的圈之间的空间限定气体流导槽,并且肋的相邻圈之间的空间在一个端板中限定多个与所述导槽连通的入口开口。每个肋均具有预定宽度尺寸、预定平均厚度尺寸、以及至少2∶1的宽度-厚度纵横比。端板之间的间距为至少三百毫米(300mm)并且也大于膜基质在气体沉积温度下的宽度尺寸。每个肋的宽度尺寸均介于端板间距的约0.5%至约2.0%之间。
用于化学气相沉积设备的馈通装置.pdf
本发明公开了一种用于化学气相沉积设备的馈通装置,该馈通装置包含有:i)馈通主体;ii)多个滑道单元以及iii)可相对于多个滑道单元旋转的馈通设备。滑道单元被提供在馈通主体的内部,而每个滑道单元包含有:流体输入通道,用于接收流体;延伸的滑道,其和流体输入通道进行流体互通,以接收来自流体输入通道的流体,该延伸的滑道螺旋式延展在该滑道单元的表面上。该馈通设备包含有多个馈通设备流体通道,馈通设备流体通道包含有用于接收来自相应的延伸的滑道的流体的馈通设备流体传送孔和用于将流体释放进入反应腔室的馈通设备流体排出孔。特
用于沉积膜的化学气相沉积炉.pdf
公开了一种用于沉积氮化硅膜的化学气相沉积炉。该炉包括沿基本竖直方向伸长的处理室和用于在处理室中支撑多个晶片的晶片舟。处理气体注射器设置在处理室内,其基本在晶片舟高度上沿基本竖直方向延伸,并且包括连接到硅前体源和氮前体源的进给端和多个竖直间隔的气体注射孔,以从进给端向处理室提供气体。该炉可以包括吹扫气体注射系统,以在处理室的下端附近将吹扫气体提供到处理室中。