用于沉积膜的化学气相沉积炉.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115537771A(43)申请公布日2022.12.30(21)申请号202210734890.3C23C16/455(2006.01)(22)申请日2022.06.27C23C16/458(2006.01)(30)优先权数据63/216,6392021.06.30US(71)申请人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒(72)发明人D.皮埃罗W.科内鹏A.克拉弗L.吉迪拉M.马利亚诺T.G.M.奥斯特拉肯H.特霍斯特B.琼布罗德S.帕鲁伊(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师焦玉恒(51)Int.Cl.C23C16/34(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称用于沉积膜的化学气相沉积炉(57)摘要公开了一种用于沉积氮化硅膜的化学气相沉积炉。该炉包括沿基本竖直方向伸长的处理室和用于在处理室中支撑多个晶片的晶片舟。处理气体注射器设置在处理室内，其基本在晶片舟高度上沿基本竖直方向延伸，并且包括连接到硅前体源和氮前体源的进给端和多个竖直间隔的气体注射孔，以从进给端向处理室提供气体。该炉可以包括吹扫气体注射系统，以在处理室的下端附近将吹扫气体提供到处理室中。CN115537771ACN115537771A权利要求书1/2页1.一种用于沉积氮化硅膜的化学气相沉积炉，包括：限定沿基本竖直方向伸长的处理室的管；用于在处理室中支撑多个晶片的晶片舟；以及处理室内的处理气体注射器，其基本在晶片舟高度上沿基本竖直方向延伸，并且包括在使用中连接到提供硅前体的第一源和提供氮前体的第二源的进给端，以及多个竖直间隔的气体注射孔，以从进给端向处理室提供气体；其中该炉包括：吹扫气体注射系统，用于在处理室的下端附近向处理室中提供吹扫气体。2.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述多个气体注射孔在所述处理气体注射器的高度的一部分上延伸，并且所述吹扫气体注射系统构造和布置成在最低气体注射孔下方提供吹扫气体。3.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述管支撑在具有中央入口开口的凸缘上，所述开口设置有门，并且所述吹扫气体注射系统构造和布置成在门上方提供吹扫气体。4.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述管支撑在凸缘上，并且所述吹扫气体注射系统构造和布置成在与凸缘基本相同的高度处提供吹扫气体。5.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述管支撑在凸缘上，并且所述吹扫气体注射系统构造和布置成通过凸缘中的通道提供吹扫气体。6.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述化学气相沉积炉在所述管下方设置有排气口，并且所述吹扫气体注射系统构造和布置成在与排气口基本相同的高度处提供吹扫气体。7.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统构造和布置成在所述化学气相沉积炉的第一侧提供吹扫气体，并且化学气相沉积炉在化学气相沉积炉的不同于第一侧的第二侧在所述管下方设置有排气口。8.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统连接至吹扫气体源。9.根据权利要求8所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫注射气体系统构造和布置成提供惰性气体作为吹扫气体。10.根据权利要求9所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统构造和布置成提供氮气作为惰性吹扫气体。11.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统构造和布置成向所述处理室中提供15至100立方厘米/分钟(SCCM)的吹扫气体。12.根据权利要求11所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统构造和布置成向所述处理室中提供30至70立方厘米/分钟(SCCM)的吹扫气体。13.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统构造和布置成还将硅前体和氮前体提供到所述处理室下端附近的处理室中。14.根据权利要求8所述的化学气相沉积炉，其中，所述吹扫气体注射系统构造和布置成在所述处理室中提供惰性气体作为吹扫气体，以提高在所述舟上的高度上的晶片上氮化硅沉积的均匀性。15.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述第一源包括硅烷作为硅前体。2CN115537771A权利要求书2/2页16.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述第一源包括选自由一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、乙硅烷和丙硅烷构成的组的一种或多种化合物作为硅前体。17.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，所述第二源包括氨作为氮前体。18.根据权利要求1所述的化学气相沉积炉，其中，通过所述处理气体注射器进入所述处理室的气体流量为100至1000立方厘米/分钟(SCCM)，优选为250立方厘米/分钟。19.一种用于在晶片上沉积氮化硅层的方法，包括：在晶片舟中