用于化学气相沉积工艺的设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106282968A(43)申请公布日2017.01.04(21)申请号201510263941.9(22)申请日2015.05.21(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人陈修康彭亮(74)专利代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343代理人尚志峰汪海屏(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称用于化学气相沉积工艺的设备(57)摘要本发明提供了一种用于化学气相沉积工艺的设备，该设备包括：公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统，其中，公共腔上连接有多个工艺腔，用于为多个工艺腔输送工件，且工艺腔通过控制阀与真空泵及氮气系统连通。该技术方案，利用控制阀直接将氮气系统与工艺腔相连通，从而不需要公共腔便可将工艺腔内恢复成大气状态，一方面工艺腔内的残留物质不能进入到公共腔，从而确保了公共腔及其它工艺腔的整洁度，进而确保了其它工艺腔内的工件的质量，另一方面，减少了清洗公共腔及将公共腔抽成真空的环节，从而提高了工件的加工效率。CN106282968ACN106282968A权利要求书1/1页1.一种用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，包括：公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统，其中，所述公共腔与多个所述工艺腔连接，用于为多个所述工艺腔输送工件，且所述工艺腔通过所述控制阀与所述真空泵及所述氮气系统连通。2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述控制阀包括：本体，所述本体上设置有与所述真空泵连通的第一接口、与所述工艺腔连通的第二接口及与所述氮气系统连通的第三接口，且所述第一接口与所述第二接口及所述第三接口相互连通；其中，所述第三接口的侧壁上设置有截流件，用于调节进入所述第三接口的氮气的流量。3.根据权利要求2所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述第一接口与所述真空泵之间设置有第一截止阀和调压阀。4.根据权利要求2所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述第三接口与所述氮气系统之间设置有第二截止阀。5.根据权利要求2所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述截流件包括：安装部，设置在所述第三接口的侧壁上，且所述安装部上设置有与所述第三接口相通的安装孔；调节件，与所述安装孔配合安装在所述第三接口内，用于调节所述第三接口的开口大小。6.根据权利要求5所述用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述安装孔与所述调节件通过螺纹配合连接。7.根据权利要求5所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述调节件上还设置有把手。8.根据权利要求7所述用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述第三接口通过安装结构配合安装在所述本体上，即所述第三接口与所述本体为分体式结构。9.根据权利要求8所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，还包括：原料系统，与多个所述工艺腔连接，为多个所述工艺腔内的所述工件提供原料。10.根据权利要求9所述的用于化学气相沉积工艺的设备，其特征在于，所述公共腔与多个所述工艺腔中的每个所述工艺腔之间设置有一个门阀。2CN106282968A说明书1/5页用于化学气相沉积工艺的设备技术领域[0001]本发明涉及半导体器件生成领域，更具体而言，涉及一种用于化学气相沉积工艺的设备。背景技术[0002]化学气相淀积(CVD)分为常温化学气相淀积(LPCVD)和低压化学气相淀积(APCVD)，其中，LPCVD是将硅片放置在腔体内，通过密封和真空泵抽走腔体内的大气形成一个真空的化学气相淀积的反应环境。具体地，如图1所示，一种用于化学气相沉积工艺的P5000ChamberVent设备包括公共腔及多个与公共腔连接的工艺腔，其中，公共腔与工艺腔之间设置有门阀。该种用于化学气相沉积工艺的P5000ChamberVent设备工作流程是：利用公共腔将硅片输送至工艺腔室内，然后利用真空泵将工艺腔抽成真空状态，然后利用原料系统向工艺腔输送工艺过程中所需的水和气等物质，反应特定时间后，需要取出硅片，对工艺腔进行清洗。但是由于工艺腔处于真空状态，为取出硅片并清洗工艺腔必须先将工艺腔内变成大气状态，目前，采用的是，先将公共腔抽成真空，以打开门阀，然后通过公共腔向工艺腔内输送氮气，从而使该工艺腔内变成大气状态，进而取出硅片并对工艺腔进行清洗。该种工艺流程存在的问题是：首先，通过公共腔使工艺腔变成大气的过程中，很容易使工艺腔内的残留物质，进入到公共腔内，从而在清洗完工艺腔后，还需要对公共腔进行清洗，以免公共腔在为其它工艺腔输送工件时，将其内的残留物质输入到其它