

晶圆研磨装置和晶圆的制造方法.pdf
韶敏****ab
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相关资料
晶圆研磨装置和晶圆的制造方法.pdf
本发明提供一种不对输送中的晶圆的整周拍摄图像就能够进行该晶圆的破裂检测的晶圆研磨装置和晶圆的制造方法。本发明的晶圆研磨装置(1)包括平板(12、14)和设有能够保持晶圆(2)的通孔(21)的载置构件(20),使保持在载置构件(20)的通孔(21)中的晶圆(2)与平板(12、14)相对移动来研磨该晶圆(2),其中,具有用于检测在通孔(21)内残留的晶圆碎片的有无的、图像处理部件(6)和非接触检测部件(7)的至少一方。
晶圆研磨装置与晶圆研磨方法.pdf
一种晶圆研磨装置与晶圆研磨方法。晶圆研磨装置包括一支撑板、一修整垫以及一研磨轮。支撑板用以放置一晶圆于其上。修整垫设置邻近于支撑板。研磨轮能够在支撑板与修整垫之间移动,以研磨放置在支撑板上的晶圆或经由修整垫修整研磨轮的一研磨面。
晶圆盒中晶圆位置异常的处理方法和装置.pdf
本申请提供一种晶圆盒中晶圆位置异常的处理方法与装置,晶圆盒的内侧壁包括从上至下依次设置的多组晶圆承载部件,各组晶圆承载部件包括结构相同且对称设置于晶圆盒中相对的两个内侧壁上的晶圆承载子部件,各晶圆承载子部件的水平以及垂直承载部的外边沿中心位置分别设置有用于检测自身形变的球形传感器,所述方法包括:基于预设扫描顺序依次获取各晶圆承载部件中的球形传感器反馈的信号子集,并基于信号子集确定晶圆位置异常的目标晶圆承载部件及对应的目标晶圆,直至遍历全部晶圆承载部件,若存在目标晶圆,基于目标晶圆信息更新初始工艺流程,并基
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶