晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112768369A(43)申请公布日2021.05.07(21)申请号201911062311.X(22)申请日2019.11.02(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230001安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人董佳仁(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤陈丽丽(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称晶圆处理装置及晶圆处理方法(57)摘要本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括：支撑台，具有用于承载晶圆的承载面；喷嘴，位于所述支撑台上方，且仅具有气体喷口，所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动，所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体，以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面，减少了所述晶圆表面液体的残留；另一方面，减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题，提高了晶圆产品的良率。CN112768369ACN112768369A权利要求书1/1页1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：支撑台，具有用于承载晶圆的承载面；喷嘴，位于所述支撑台上方，且仅具有气体喷口，所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动，所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体，以除去所述晶圆表面残留的液体。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口呈长条形，用于竖直向下喷射气体，且所述气体喷口的长度大于所述晶圆的直径。3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口的宽度为5mm～15mm。4.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述喷嘴还包括：本体部，所述气体喷口位于所述本体部的底端，所述本体部的顶端与用于存储所述气体的气源连通；所述本体部呈长条形，且所述气体喷口沿所述本体部的长度方向延伸。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述本体部的长度为305mm～310mm、宽度为70mm～90mm、高度为60mm～80mm。6.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体喷口喷射的所述气体的压力为5Kpa～11Kpa。7.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括：驱动器，连接所述喷嘴，用于驱动所述喷嘴，使所述气体喷口的中点沿平行于所述承载面上承载的所述晶圆的直径方向往复运动，并调整所述喷嘴的运动速率和所述气体喷口喷出的气体压力。8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述气体为氮气或者惰性气体。9.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括如下步骤：放置一晶圆于一支撑台的承载面上；驱动一仅具有气体喷口的喷嘴在所述晶圆的上方沿平行于所述承载面的方向移动，所述气体喷口向所述晶圆表面喷射气体，以除去所述晶圆表面残留的液体。10.根据权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述气体喷口喷射的所述气体的压力为5Kpa～11Kpa。11.根据权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，驱动一仅具有气体喷口的喷嘴在所述晶圆的上方沿平行于所述承载面的方向移动的具体步骤包括：驱动一仅具有气体喷口的喷嘴，使所述气体喷口的中点沿着平行于所述承载面上承载的所述晶圆的直径方向往复运动。12.根据权利要求11所述的晶圆处理方法，其特征在于，还包括如下步骤：根据所述晶圆表面残留的所述液体的量调整所述喷嘴的运动速率和所述气体喷口喷出的气体压力。2CN112768369A说明书1/5页晶圆处理装置及晶圆处理方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。背景技术[0002]在浸润式光刻工艺的曝光期间，通常需要在曝光镜头与晶圆表面的光刻胶之间填充满去离子水，以增加聚焦景深的适用范围。之后，可以进行若干个曝光后烘烤工艺，使位于所述晶圆表面的溶剂蒸发。接着，借由显影液除去曝光后不需要的光刻胶，并采用旋转干燥工艺干燥晶圆。[0003]传统的旋转干燥工艺极易造成显影液的残留，不利于后续工艺的顺利进行。为了解决上述问题，当前主要通过机台的ADR(AdvancedDevelopRinse)功能来去除残留的显影液。在启动机台的ADR功能后，在一次旋转干燥之后，去离子水会二次浸润晶圆表面的光刻胶，并在二次浸润的同时采用气体吹扫，使得去离子水自晶圆的中心向边缘移动。这种方式虽然能够在一定程度上减少晶圆表面的液体残留，但是极易造成晶圆中心部位的图案坍塌，最终导致晶圆产品良率的降低。[0004]因此，如何避免晶圆在干燥过程中易出现图案坍塌的问题，提高晶圆产品的良率，是目前亟待解决