晶圆研磨装置与晶圆研磨方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102729133A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102729133A(43)申请公布日2012.10.17(21)申请号201210245349.2(22)申请日2012.07.16(71)申请人日月光半导体制造股份有限公司地址中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号(72)发明人孙宏琪黄明玉王建清(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人陆勍(51)Int.Cl.B24B37/00(2012.01)B24B53/017(2012.01)B24B37/27(2012.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书55页页附图附图33页(54)发明名称晶圆研磨装置与晶圆研磨方法(57)摘要一种晶圆研磨装置与晶圆研磨方法。晶圆研磨装置包括一支撑板、一修整垫以及一研磨轮。支撑板用以放置一晶圆于其上。修整垫设置邻近于支撑板。研磨轮能够在支撑板与修整垫之间移动，以研磨放置在支撑板上的晶圆或经由修整垫修整研磨轮的一研磨面。CN102793ACN102729133A权利要求书1/1页1.一种晶圆研磨装置，包括：一支撑板，用以放置一晶圆于其上；一修整垫，设置邻近于该支撑板；以及一研磨轮，其能够在该支撑板与该修整垫之间移动，以研磨放置在该支撑板上的该晶圆或经由该修整垫修整该研磨轮的一研磨面。2.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，其中包括数个该修整垫与数个该研磨轮，该些修整垫的各个与该些研磨轮的各个成对地构成一研磨单元。3.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，更包括数个研磨区域，该些研磨区域至少的一设置有该研磨单元。4.如权利要求1所述的晶圆研磨装置，其中包括数个该研磨轮，该些研磨轮共用单一个该修整垫。5.一种晶圆研磨方法，包括：利用一研磨轮与一第一研磨参数研磨放置在一支撑板上的一晶圆；以及在判断出利用该研磨轮与该第一研磨参数研磨该晶圆的过程中发生异常之后，利用该研磨轮与相异于该第一研磨参数的一第二研磨参数研磨该晶圆，或者，将该研磨轮移至邻近于该支撑板的一修整垫，并利用该修整垫修整该研磨轮的一研磨面。6.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其中在利用该研磨轮与该第二研磨参数研磨该晶圆之后，将该研磨轮移至该修整垫，并利用该修整垫修整该研磨轮的该研磨面。7.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，更包括在利用该修整垫修整该研磨轮的该研磨面之后，将该研磨轮移至该支撑板，并利用该研磨轮与该第一研磨参数研磨放置在该支撑板上的另一晶圆。8.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，判断出利用该研磨轮与该第一研磨参数研磨该晶圆的过程中发生异常的方法包括：判断出该研磨轮的一主轴移动速率与该晶圆的一移除速率的差异大于一设定极限值；或者判断出该研磨轮的一主轴电流值大于另一设定极限值。9.如权利要求1所述的晶圆研磨方法，其中该支撑板上设置有一晶圆承载盘，该晶圆放置在该晶圆承载盘上，第一研磨参数与该第二研磨参数各包括该研磨轮的一主轴进给速度、该晶圆承载盘的一转速、或一冷却水流量。10.如权利要求9所述的晶圆研磨方法，其中该第二研磨参数的该研磨轮的该主轴进给速度小于该第一研磨参数的该研磨轮的该主轴进给速度；该第二研磨参数的该晶圆承载盘的该转速小于该第一研磨参数的该晶圆承载盘的该转速；或者该第二研磨参数的该冷却水流量大于该第一研磨参数的该冷却水流量。2CN102729133A说明书1/5页晶圆研磨装置与晶圆研磨方法技术领域[0001]本发明有关于晶圆研磨装置与晶圆研磨方法，特别有关于利用晶圆研磨装置的自动化研磨方法。背景技术[0002]晶圆相关的制造商会处理到各种不同特性的晶圆，且一般会以固定的工艺参数来处理晶圆。然而，由于晶圆特性的不同可能因其材料或结构上的差异，当使用晶圆研磨装置，并以固定的工艺参数来研磨特性的不同的晶圆时，很容易导致晶圆损坏的问题，例如晶圆的焦黑或破片。一旦发生此类的事件，不仅损坏的晶圆其报废的可能性提高，晶圆研磨装置也必须立刻停止作业，以人工的方式检查、修复，因而影响了晶圆的产出量(WPH)与产品良率。发明内容[0003]本发明有关于晶圆研磨装置与晶圆研磨方法。相较于先前技术，于本案实施例中所揭露的晶圆研磨装置与晶圆研磨方法可大幅度地提高晶圆的产出量与产品良率。[0004]根据本发明的一实施例，提供一种晶圆研磨装置。晶圆研磨装置包括一支撑板、一修整垫以及一研磨轮。支撑板用以放置一晶圆于其上。修整垫设置邻近于该支撑板。研磨轮能够在支撑板与修整垫之间移动，以研磨放置在支撑板上的晶圆或经由修整垫修整研磨轮的一的研磨面。[0005]根据本发明的另一实施例，提供一种晶圆研磨方法。晶圆研磨方法包括以下步骤。利用一研磨轮与一以第一研磨参数研磨并放置在一支撑板上的一晶圆。在判断出利用研磨轮与第一研磨参数研磨晶圆的过程