晶圆盒中晶圆位置异常的处理方法和装置.pdf
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晶圆盒中晶圆位置异常的处理方法和装置.pdf
本申请提供一种晶圆盒中晶圆位置异常的处理方法与装置,晶圆盒的内侧壁包括从上至下依次设置的多组晶圆承载部件,各组晶圆承载部件包括结构相同且对称设置于晶圆盒中相对的两个内侧壁上的晶圆承载子部件,各晶圆承载子部件的水平以及垂直承载部的外边沿中心位置分别设置有用于检测自身形变的球形传感器,所述方法包括:基于预设扫描顺序依次获取各晶圆承载部件中的球形传感器反馈的信号子集,并基于信号子集确定晶圆位置异常的目标晶圆承载部件及对应的目标晶圆,直至遍历全部晶圆承载部件,若存在目标晶圆,基于目标晶圆信息更新初始工艺流程,并基
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆位置检测装置、晶圆位置检测方法.pdf
本申请公开了一种晶圆位置检测装置及晶圆位置检测方法,涉及半导体制造技术领域,晶圆检测装置包括支撑杆、U型检测头、至少两组光感应器、检测轨道和驱动马达;支撑杆包括上支撑杆和下支撑杆,上支撑杆与下支撑杆通过中间驱动马达连接,上支撑杆的顶部连接U型检测头的底部,下支撑杆的底部固定在检测轨道内;中间驱动马达令上支撑杆处于第一位置或第二位置;U型检测头的两个侧边上设置有至少两组光感应器;检测轨道上的下端驱动马达带动晶圆检测装置沿检测轨道运动;解决了现有的晶圆清洗机台中,真空吸盘固定腔室无法检测晶圆位置的问题;达到了
晶圆偏转装置和晶圆处理装备.pdf
本申请公开了一种晶圆偏转装置,包括晶圆托架和驱动晶圆托架在第一定向和第二定向之间摆动的驱动机构,其控制晶圆托架以符合预定的角速度‑时间曲线的方式从第一定向摆动到第二定向,角速度‑时间曲线包括至少一个加速段和至少一个减速段,驱动机构包括摆动轴和驱动摆动轴旋转的电机组件,晶圆托架与摆动轴连接以随摆动轴摆动,晶圆托架包括弓形托臂,弓形托臂的轮廓为90