晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113707543A(43)申请公布日2021.11.26(21)申请号202110812185.6(22)申请日2021.07.19(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人王剑平陈建宏篮国玮操津津(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤陈丽丽(51)Int.Cl.H01L21/22(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图2页(54)发明名称晶圆处理方法及晶圆处理装置(57)摘要本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤：建立映射关系，所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间，所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度，所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定；获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度；根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间；根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶圆处理的时间，提高了炉管制程工艺对晶圆处理的效率。CN113707543ACN113707543A权利要求书1/3页1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括如下步骤：建立映射关系，所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间，所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度，所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定；获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度；根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间；根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，建立映射关系的具体步骤包括：提供多个所述热处理温度；针对每一所述热处理温度执行如下步骤：采用所述热处理温度对晶圆进行炉管制程处理；根据经过所述炉管制程处理的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的时间，以确定与所述热处理温度对应的所述降温处理时间。3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，提供多个所述热处理温度的具体步骤包括：提供多个晶圆处理工艺条件，每一所述晶圆处理工艺条件中均包括一个所述热处理温度。4.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，采用所述热处理温度对晶圆进行炉管制程处理的具体步骤包括：提供晶舟，所述晶舟内具有沿所述晶舟的轴线方向放置的多片晶圆；放置晶舟于炉管内；采用所述热处理温度对晶舟内的所有晶圆进行炉管制程处理。5.根据权利要求4所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理工艺条件中还包括与所述热处理温度对应的预设降温时间；根据经过所述炉管制程处理的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的时间，确定与所述热处理温度对应的所述降温处理时间的具体步骤包括：获取经过所述炉管制程处理的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的总降温时间；根据所述总降温时间和所述预设降温时间获取与所述热处理温度对应的所述降温处理时间。6.根据权利要求5所述的晶圆处理方法，其特征在于，获取经过所述炉管制程处理的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的总降温时间的具体步骤包括：将经过所述炉管制程处理的所述晶舟自所述炉管中取出；获取所述晶舟中最顶层的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的总降温时间。7.根据权利要求6所述的晶圆处理方法，其特征在于，获取所述晶舟中最顶层的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的总降温时间的具体步骤包括：判断所述晶舟是否完全的从所述炉管中取出，若是，则获取所述晶舟中最顶层的所述晶圆从所述热处理温度降低到所述目标温度的总降温时间。2CN113707543A权利要求书2/3页8.根据权利要求5所述的晶圆处理方法，其特征在于，根据所述总降温时间和所述预设降温时间获取与所述热处理温度对应的所述降温处理时间的具体步骤包括：以所述总降温时间和所述预设降温时间之差作为与所述热处理温度对应的所述降温处理时间。9.根据权利要求8所述的晶圆处理方法，其特征在于，根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温的具体步骤包括：获取所述目标晶圆处理工艺条件中的目标预设降温时间；对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温，降温时间为所述目标预设降温时间与所述目标降温处理时间之和。10.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：存储模块，用于存储映射关系，所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理