光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102033417102033417B(45)授权公告日2014.11.26(21)申请号201010298454.3(22)申请日2010.09.29(30)优先权数据2009-2238132009.09.29JP(73)专利权人株式会社爱发科地址日本神奈川县(72)发明人谷典明中村久三清田淳也铃木寿弘三村寿文(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人闫小龙王忠忠(51)Int.Cl.G03F1/26(2012.01)审查员何彦东权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图3页附图3页(54)发明名称光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法(57)摘要本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14)，在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时，利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行，然后，利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24)，利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域，得到光掩模。将各层(11)～(14)全部形成之后，进行使用了刻蚀液的刻蚀，所以，不存在颗粒的附着。CN102033417BCN102347BCN102033417B权利要求书1/1页1.一种光掩模，具有透明衬底和配置在所述透明衬底上的掩模层，在所述掩模层上形成有对曝光光线进行遮光的遮光区域、使所述曝光光线透过的透光区域、使所述曝光光线的相位发生偏移的相移区域，其特征在于，所述掩模层具有：配置在所述透明衬底上的半透明的相移层；配置在所述相移层上的刻蚀停止层；以及配置在所述刻蚀停止层上的具有遮光性的遮光层，所述刻蚀停止层由含有碳并且能够燃烧的材料构成，并且，由不被对所述遮光层进行刻蚀的遮光层刻蚀液刻蚀的材料形成，在所述衬底上，由残留有所述遮光层的部分形成所述遮光区域，在所述衬底上，由所述遮光层、所述刻蚀停止层以及所述相移层被除去的部分形成所述透光区域，在所述衬底上，由所述遮光层被除去并且残留有所述相移层的部分形成所述相移区域，在位于所述遮光区域的所述相移层和所述刻蚀停止层之间，与所述相移层和所述刻蚀停止层紧贴配置有由铬薄膜形成的粘接层，在所述相移区域，所述刻蚀停止层利用氧进行燃烧被除去而露出的所述粘接层被氧化而成为半透明的薄膜露出。2.如权利要求1的光掩模，其特征在于，所述相移层由氧化铬膜构成，所述刻蚀停止层由碳膜构成，所述遮光层由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成。3.一种光掩模制造方法，其特征在于，在透明衬底上形成半透明的相移层，在所述相移层上形成由铬薄膜构成的粘接层，在所述粘接层上，形成由含有碳并且能够燃烧的材料构成的刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上，形成具有遮光性并且由不刻蚀所述刻蚀停止层的遮光层刻蚀液刻蚀的遮光层，利用所述遮光层刻蚀液部分地刻蚀除去所述遮光层，形成所述刻蚀停止层在底面露出的多个开口，使在所述开口底面露出的所述刻蚀停止层与氧进行化合而除去，在所述开口底面使所述粘接层露出，并且，使所述露出的部分的所述粘接层氧化，成为半透明的氧化物膜，在所述开口底面使所述氧化物膜露出，由抗蚀剂膜覆盖一部分所述开口，利用所述相移层的刻蚀液刻蚀除去位于其他的所述开口底面的所述氧化物膜和所述相移层。4.如权利要求3的光掩模制造方法，其特征在于，由氧化铬膜构成所述相移层，由碳膜构成所述刻蚀停止层，由金属铬膜或氮化铬膜的任意一种构成所述遮光层。2CN102033417B说明书1/5页光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法技术领域[0001]本发明涉及在液晶或PDP等的FPD衬底上形成图形时所使用的相移光掩模的结构及其制造方法。背景技术[0002]对于现有的相移光掩模来说，一般地是在玻璃衬底上将Cr遮光膜进行成膜，曝光以及刻蚀目的图形，从而进行制作。[0003]近年来，为了较细并且准确地形成图形线宽，在很多情况下利用层叠了Cr遮光膜和Cr的氧化膜或氮化膜即半透光膜(相移膜)的结构，在掩模上形成由大体上对光进行遮光的部分、使光透过一半左右的部分以及大体上使光透过的部分构成的图形。[0004]这在玻璃衬底上首先利用溅射法将Cr遮光膜进行成膜，在其上涂敷抗蚀剂、利用激光照射进行感光后，除去不需要部分的抗蚀剂，形成图形，利用湿法刻蚀除去不需要部分的Cr遮光膜。[0005]然后，经过如下复杂的工序进行制造：利用溅射法在该衬底上将Cr氧化膜或氮化膜即半透光膜再次进行成膜，同样地利用湿法刻蚀除去不需要部分的半透光膜的部分。[0006]因此，多次使用进行各工艺的处理装置，成为颗粒附着在掩模上