光掩模、光掩模组、曝光装置以及曝光方法.pdf
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光掩模、光掩模组、曝光装置以及曝光方法.pdf
本发明的课题在于提供能够提高电路板与分别配置于电路板的表面和背面上的光掩模之间的对位精度的光掩模;本发明的光掩模(70)具备:描绘图形(73),其形成于光掩模(70)的与电路板(P)相对置的一面上且用于进行曝光;第一对位标记(TM1),其设置于一面中的、在保持电路板(P)时与电路板(P)相对置且未形成有描绘图形(73)的部位上,并且用于与形成于电路板(P)上的电路板侧标记(P5)进行对位;以及第二对位标记(TM2),其设置于在保持电路板(P)时不与该电路板(P)相对置的部位上,并且用于与设置于另一光掩模(
丝网掩模的制造方法以及曝光装置.pdf
提供能够实现高精度的印刷的丝网掩模的制造方法以及曝光装置。本发明的一方式的丝网掩模的制造方法具备:曝光处理,以规定的曝光图案对感光性材料的掩模膜照射光,在所述掩模膜形成规定的图案开口,所述掩模膜形成于具有供涂覆材透过的透过部的网格部;以及基于所述透过部的信息校正所述曝光图案具备。
曝光装置以及曝光装置的对准方法.pdf
曝光装置以及曝光装置的对准方法,即使对配设有众多图案的基板,也迅速且准确地进行对准。曝光装置具有对准所使用的照相机(29)和DMD(22),能够按照FO‑WLP形成图案,在该曝光装置中,使多个半导体芯片(SC)落在视野内而同时拍摄,从其图像提取各个半导体芯片(SC)的轮廓,将提取了作为标记的连接焊盘(CP)的比较对象区域(TA)的图像与模板图像进行比较,检测各芯片的位置偏差量。
掩膜组件以及曝光显影方法.pdf
本申请提供一种掩膜组件以及曝光显影方法,掩膜组件包括至少一个掩膜板,掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区,掩膜板包括遮挡部和透光部;遮挡部包括位于拼接区的第一遮挡部和位于非重叠曝光区的第二遮挡部,第一遮挡部和第二遮挡部用于遮挡光线;透光部连接于遮挡部并用于曝光显影,透光部包括位于拼接区的第一透光部和位于非重叠曝光区的第二透光部,第一遮挡部位于第一透光部背离非重叠曝光区的一侧,其中,第一透光部的透光率大于零,且小于第二透光部的透光率。本申请提供的掩膜组件能够降低基板上本该被保留的图案被刻蚀掉的
光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法.pdf
本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。