反射型光掩模坯以及反射型光掩模.pdf
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相关资料
反射型光掩模坯以及反射型光掩模.pdf
本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8),低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成,吸收层(4)包含合计为50原子%以上的选自第1材料群中的1种以上,最表层(5)包含合计为80原子%以上的选自第2材料群中的至少1种以上,第1材料群为铟、锡、碲、钴、镍、铂、银、铜、锌及铋、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物,第2材料群为钽、铝、钌、钼、锆、钛、锌
光掩模坯、光掩模以及光掩模制造方法.pdf
本发明提供一种不附着颗粒的光掩模及其制造方法。在相移层(11)上层叠粘接层(12)、刻蚀停止层(13)、遮光层(14),在利用刻蚀液部分地对遮光层(14)进行刻蚀时,利用刻蚀停止层(13)阻止刻蚀的进行,然后,利用氧等离子体除去在遮光层(14)上形成的开口底面的刻蚀停止层。用抗蚀剂覆盖成为相移区域的开口(24),利用刻蚀液除去成为透光区域的开口底面的相移区域(11)。由残留有遮光层(14)的部分形成遮光区域,得到光掩模。将各层(11)~(14)全部形成之后,进行使用了刻蚀液的刻蚀,所以,不存在颗粒的附着。
空白掩模以及利用其的光掩模.pdf
本发明涉及一种空白掩摸以及利用其的光掩模。实施例涉及空白掩模等,所述空白掩模包括:透明基板,相移膜,设置在透明基板上,以及遮光膜,设置在所述相移膜上。空白掩模的由以下式1表示的TFT1值为0.25μm/100℃以下。利用这种空白掩模等能够容易地制造具有微细线幅的半导体器件。[式1]<base:Imagehe=@122@wi=@377@file=@DDA0003447113240000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portr
光掩模、光掩模组、曝光装置以及曝光方法.pdf
本发明的课题在于提供能够提高电路板与分别配置于电路板的表面和背面上的光掩模之间的对位精度的光掩模;本发明的光掩模(70)具备:描绘图形(73),其形成于光掩模(70)的与电路板(P)相对置的一面上且用于进行曝光;第一对位标记(TM1),其设置于一面中的、在保持电路板(P)时与电路板(P)相对置且未形成有描绘图形(73)的部位上,并且用于与形成于电路板(P)上的电路板侧标记(P5)进行对位;以及第二对位标记(TM2),其设置于在保持电路板(P)时不与该电路板(P)相对置的部位上,并且用于与设置于另一光掩模(
光掩模和光掩模的制造方法.pdf
本发明提供一种光掩模和光掩模的制造方法,具有半透光图案的光掩模能够在光刻步骤中有效地降低来自光掩模的曝光光线的反射。本发明的光掩模,在透明基板(1)上具有由半透光膜(6)构成的半透光图案(6a),和由第1反射抑制膜(2)、遮光膜(3)以及第2反射抑制膜(4)的层叠遮光膜(30)构成的层叠遮光图案(30a),半透光膜(6)的光密度低于层叠遮光膜(30)的光密度,第1反射抑制膜(2)与透明基板1接触,构成为对于波长在365nm至436nm的范围内的曝光光线,来自正面的层叠遮光图案(30a)的反射率为15%以下