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本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8),低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成,吸收层(4)包含合计为50原子%以上的选自第1材料群中的1种以上,最表层(5)包含合计为80原子%以上的选自第2材料群中的至少1种以上,第1材料群为铟、锡、碲、钴、镍、铂、银、铜、锌及铋、及它们的氧化物、氮化物以及氧氮化物,第2材料群为钽、铝、钌、钼、锆、钛、锌及钒、及它们的氧化物、氮化物、氧氮化物、以及铟氧化物。