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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115903366A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211206308.2G03F1/68(2012.01)(22)申请日2022.09.30(30)优先权数据2021-1608002021.09.30JP(71)申请人株式会社SK电子地址日本京都府(72)发明人加藤和男(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司11322专利代理师龙淳(51)Int.Cl.G03F1/00(2012.01)G03F1/26(2012.01)G03F1/32(2012.01)G03F1/54(2012.01)权利要求书1页说明书8页附图4页(54)发明名称光掩模和光掩模的制造方法(57)摘要本发明提供一种光掩模和光掩模的制造方法,具有半透光图案的光掩模能够在光刻步骤中有效地降低来自光掩模的曝光光线的反射。本发明的光掩模,在透明基板(1)上具有由半透光膜(6)构成的半透光图案(6a),和由第1反射抑制膜(2)、遮光膜(3)以及第2反射抑制膜(4)的层叠遮光膜(30)构成的层叠遮光图案(30a),半透光膜(6)的光密度低于层叠遮光膜(30)的光密度,第1反射抑制膜(2)与透明基板1接触,构成为对于波长在365nm至436nm的范围内的曝光光线,来自正面的层叠遮光图案(30a)的反射率为15%以下,来自背面的层叠遮光图案(30a)的反射率为5%以下。CN115903366ACN115903366A权利要求书1/1页1.一种光掩模,其特征在于:在透明基板上具有半透光图案和层叠遮光图案,所述半透光图案由半透光膜构成,所述层叠遮光图案由第1反射抑制膜、遮光膜和第2反射抑制膜的层叠遮光膜构成,所述半透光膜的光密度低于所述层叠遮光膜的光密度,所述第1反射抑制膜与所述透明基板接触,对于所述透明基板,在将具有所述半透光图案和所述层叠遮光图案的面作为正面、与所述正面相对的一侧作为背面时,对于波长在365nm至436nm的范围内的曝光光线,所述正面中的所述半透光图案与所述层叠遮光图案重叠的区域的反射率为15%以下,来自所述背面的所述层叠遮光图案的反射率为5%以下。2.如权利要求1所述的光掩模,其特征在于:来自所述背面的所述层叠遮光图案的反射率的波长依赖性为5%以内。3.如权利要求1所述的光掩模,其特征在于:所述层叠遮光图案的至少一部分被所述半透光膜覆盖。4.如权利要求2所述的光掩模,其特征在于:所述层叠遮光图案的至少一部分被所述半透光膜覆盖。5.如权利要求1至4中任一项所述的光掩模,其特征在于:所述半透光膜是半色调膜或相移膜。6.一种光掩模的制造方法,其特征在于,包括:以与透明基板接触的方式形成第1反射抑制膜的步骤;在所述第1反射抑制膜上形成遮光膜的步骤;在所述遮光膜上形成第2反射抑制膜的步骤;将由所述第1反射抑制膜、所述遮光膜和所述第2反射抑制膜构成的层叠遮光膜图案化而形成层叠遮光图案,并使所述透明基板部分地露出的步骤;在部分地露出的所述透明基板和所述层叠遮光图案上形成半透光膜的步骤;和将所述半透光膜图案化来形成半透光图案的步骤,所述半透光膜的光密度低于所述层叠遮光膜的光密度,对于所述透明基板,在将具有所述半透光图案和所述层叠遮光图案的面作为正面、与所述正面相对的一侧作为背面的情况下,对于波长在365nm至436nm的范围内的曝光光线,所述正面中的所述半透光图案与所述层叠遮光图案重叠的区域的反射率为15%以下,来自所述背面的所述层叠遮光图案的反射率为5%以下。2CN115903366A说明书1/8页光掩模和光掩模的制造方法技术领域[0001]本发明涉及光掩模(photomask)和光掩模的制造方法。背景技术[0002]光掩模使用在制造平板显示器等电子设备的步骤中。以往,使用一种具有透射部和遮光部的二元(binary)掩模作为光掩模。[0003]近年来,例如为了形成细微的图案而使用一种具有遮光膜和相移膜的相移掩模(phaseshiftmask)、以及为了减少电子设备的制造步骤数而使用一种具有半透光区域之半色调掩模(halftonemask)。[0004]现有技术文献[0005]专利文献[0006]专利文献1:日本特开2020‑64304号公报发明内容[0007]发明要解决的课题[0008]伴随平板显示器进一步的用途的发展和要求规格的精致化,关于此种光掩模,对于图案尺寸的均匀性的要求变成越来越严格。[0009]作为造成图案尺寸不均匀的原因之一,可举出由于来自光掩模的曝光光线的反射而产生的杂散光所造成的曝光转印品质的降低(专利文献1)。[0010]但是,具有半透光膜的相移掩模和半色调掩模,其防止或降低来自光掩模的曝光光线的反射是困难的,尤其会有无法充分地获得降低来背面的曝光光线