显影残留检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102539448A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102539448A(43)申请公布日2012.07.04(21)申请号201010578114.6(22)申请日2010.12.08(71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址214028江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号(72)发明人黄玮邹永祥胡骏张辰明刘志成(51)Int.Cl.G01N21/956(2006.01)G01N1/28(2006.01)G03F7/30(2006.01)H01L21/66(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书22页页附图附图22页(54)发明名称显影残留检测方法(57)摘要本发明提供了一种显影残留检测方法，其包括如下步骤：首先提供一涂覆有光刻胶的圆片；再对所述圆片进行显影；然后，对显影后的圆片进行刻蚀去胶处理；随后对所述圆片进行缺陷检查，所述缺陷检查包括如下两个步骤：先在圆片上沉淀一层无机膜，然后利用光学显微镜检查无机膜。相较于现有技术，本发明所述的显影残留检测方法通过在刻蚀去胶后的圆片表面沉淀一层无机膜，使得缺陷残留处被放大，在光学显微镜下进行缺陷检测时更容易被发现。CN10253948ACN102539448A权利要求书1/1页1.一种显影残留检测方法，其包括如下步骤：首先提供一涂覆有光刻胶的圆片；再对所述圆片进行显影；然后，对显影后的圆片进行刻蚀去胶处理；随后对所述圆片进行缺陷检查，其特征在于：所述缺陷检查包括如下两个步骤：先在圆片上沉淀一层无机膜，然后利用光学显微镜检查无机膜。2.如权利要求1所述的显影残留检测方法，其特征在于：所述无机膜的厚度为0.02微米至0.2微米。3.如权利要求2中所述的显影残留检测方法，其特征在于：所述无机膜为二氧化硅或氮化硅。2CN102539448A说明书1/2页显影残留检测方法【技术领域】[0001]本发明涉及一种显影残留检测方法，尤其涉及一种半导体集成电路制程工艺中的检测显影缺陷的方法。【背景技术】[0002]光刻、显影、刻蚀等是半导体集成电路中的重要工艺，也是集成电路制程过程中比较容易出现缺陷的工序。由于各个工艺步骤累加的缺陷将最终影响产品的成品率，因此降低缺陷是一项日常主要工作，但是，降低缺陷的前提是必须要建立一套有效的检测方法，以有效的检测出缺陷。现有的缺陷检查是利用光学显微镜比较圆片上重复图形的对比度进行识别的，如果有缺陷存在，特定区域图像的对比度就和其它正常图形不一样，通过定点检查确认是否是缺陷。由于光学显微镜分辨率的限制，过于小的缺陷无法分辨，导致缺陷不能及时被发现。[0003]光刻显影残留是光刻工艺中常见的一种缺陷，但是在现有的操作模式下，部分工艺的光刻层次在常规光刻后的缺陷检查和刻蚀后的缺陷检查中，用光学显微镜依然不能检测到显影缺陷，造成缺陷不能被及时发现。在互补金属氧化物半导体(CMOS：ComplementaryMetalOxideSemiconductor)制造工艺中的有源区/多晶栅光刻工艺中，这种无法检测到的缺陷尤其多，而且有源区/多晶栅光刻是CMOS集成电路生产中的关键工艺，因此缺陷密度将直接影响到产品的成品率，例如，请参图1所示，在对圆片光刻显影后，部分光刻胶会残留在有源区/多晶栅层面上，请参图1(A)所示，此时，随后的刻蚀工艺虽能明显有效地清除掉这些光刻胶残留，但是，也有可能只使得有源区/多晶栅层的厚度变小、尺寸变小，导致部分图形未被刻蚀而圆片上留下细小的残迹，请参图1(B)所示，这些细小的残迹更难以被发现。[0004]鉴于上述问题，本发明建立了一种新的检测方法，可以及时有效在刻蚀以后发现缺陷。【发明内容】[0005]本发明所解决的技术问题在于提供一种显影残留检测方法，其可简单方便的检测出圆片表面因显影残留导致的缺陷。[0006]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种显影残留检测方法，其包括如下步骤：首先提供一涂覆有光刻胶的圆片；再对所述圆片进行显影；然后，对显影后的圆片进行刻蚀去胶处理；随后对所述圆片进行缺陷检查，所述缺陷检查包括如下两个步骤：先在圆片上沉淀一层无机膜，然后利用光学显微镜检查无机膜。[0007]进一步地，所述无机膜的厚度为0.02微米至0.2微米。[0008]进一步地，所述无机膜为二氧化硅或氮化硅。[0009]相较于现有技术，本发明所述的显影残留检测方法通过在刻蚀去胶后的圆片表面沉淀一层无机膜，使得缺陷残留处被放大，在光学显微镜下进行缺陷检测时更容易被发现。3CN102539448A说明书2/2页【附图说明】[0010]图1(A)、(B)分别代表显影和刻蚀去胶后圆片的结构示意图。[0011]图2为本发明所述的圆片在显影后光刻胶残留时的示意图。[0012]图3为本