改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109273353A(43)申请公布日2019.01.25(21)申请号201810991747.6(22)申请日2018.08.29(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人龚华李宇杰(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人郭四华(51)Int.Cl.H01L21/027(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法(57)摘要本发明涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，涉及半导体集成电路生产工艺，所述改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，不影响晶圆的关键尺寸(CD)。CN109273353ACN109273353A权利要求书1/1页1.一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和。2.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，晶圆目标关键尺寸为F、轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸减小量为B，则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+B，其中，晶圆目标关键尺寸F为实际生产工艺中晶圆关键尺寸的期望值。3.根据权利要求2所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/f。4.根据权利要求2或3任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T＝(A-F)/10。5.根据权利要求2所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。6.根据权利要求2或5任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+10T。7.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，根据所述光刻显影工艺后残留的光刻胶的线宽设定所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T。8.根据权利要求7所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀时间T每增加1秒，晶圆关键尺寸减小则设定所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸A＝F+f*T。9.根据权利要求1所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺为低温刻蚀。10.根据权利要求1或9任一项所述的改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，所述轻微刻蚀工艺的刻蚀温度小于100℃。2CN109273353A说明书1/3页改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体集成电路生产工艺，尤其涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法。背景技术[0002]在半导体集成电路生产工艺中，光刻刻蚀是常用步骤，其主要过程可参阅图1，图1为晶圆光刻刻蚀过程示意图，如图1所示，晶圆包括衬底100，衬底100上淀积有薄膜介质层110，薄膜介质层110上涂覆有一层光刻胶120。首先，通过光刻显影工艺将掩膜版上的图形转移到待加工的晶圆上；然后，经过刻蚀工艺将薄膜介质层110中没有被光刻胶120覆盖和保护的部分去除，以完成将掩膜版上的图形转移到晶圆上的目的。[0003]然而，在光刻显影工艺中，在部分区域(如比较大块的需要显影的地方)光刻会因为显影能力不足，有少量光刻胶不能被完全去除。后续进行刻蚀工艺时，由于薄膜介质层110上还有少量光刻胶所以不能与溶液充分接触，导致残留缺陷的产生，具体的可参阅图2，图2为现有技术中光刻显影工艺后晶圆俯视图，如图2所示，在进行光刻显影工艺后，部分区域的光刻胶不能完全被去除，而形成光刻胶残留缺陷122，最终导致了薄膜介质层的残留缺陷。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺