一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107479341A(43)申请公布日2017.12.15(21)申请号201710824329.3(22)申请日2017.09.13(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人黄胜男贺吉伟李赟(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人俞涤炯(51)Int.Cl.G03F7/30(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法(57)摘要本发明提供了一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制复合结构以一第一预定转速旋转，使显影液与复合结构表面的刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制复合结构以一大于第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。其技术方案的有益效果在于，将溶解之后的刻蚀阻挡层以及残留的显影液从复合结构上去除，可有效的减少残留的刻蚀阻挡层，对最终形成的双栅极结构的品质的影响。CN107479341ACN107479341A权利要求书1/1页1.一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，其特征在于，于所述复合结构的顶部覆盖一刻蚀阻挡层并对所述复合结构进行曝光处理，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的所述复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向所述复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制所述复合结构以一第一预定转速旋转，使所述显影液与所述复合结构表面的所述刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制所述复合结构以一大于所述第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向所述复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持所述第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。2.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述复合结构的顶部为栅氧层，对所述复合结构进行曝光处理的方法包括：步骤A1、通过涂胶工艺对所述栅氧层的表面进行涂覆以形成所述刻蚀阻挡层；步骤A2、通过曝光工艺对所述刻蚀阻挡层进行曝光处理，以将掩膜板上的图形转移至所述刻蚀阻挡层上。3.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述第一预定转速为30rpm。4.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述清洗溶剂为去离子水。5.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述第二预定转速为300rmp。6.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述预定时间为25秒。7.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述显影腔中设置有一卡盘，所述复合结构固定放置于所述卡盘上，通过控制所述卡盘的转速使所述复合结构到达所述第一预定转速或者所述第二预定转速。8.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述卡盘的上方设置有一第一喷嘴以及第二喷嘴；所述第一喷嘴的方向朝向所述复合结构，用以喷洒所述显影液至所述刻蚀阻挡层上；所述第二喷嘴的方向朝向所述复合结构，用以喷洒所述清洗溶剂对所述显影液以及被所述显影液溶解的所述刻蚀阻挡层进行清洗去除。2CN107479341A说明书1/4页一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法。背景技术[0002]形成双栅极结构的复合结构，如图1所示，该复合结构中包括高压器件区、低压器件区以及存储区域，其中位于高压器件区域上的高压栅氧层，以及位于低压器件区域上的低压栅氧层，需要通过光刻工艺以及刻蚀工艺的结合去除，其操作步骤简叙述如下，首先是在高压栅氧层以及低压栅氧层上形成一刻蚀阻挡层，然后通过光刻工艺对刻蚀阻挡层进行光刻处理，以在刻蚀阻挡层上对应高压器件区的有源区位置，以及对应低压器件区的有源区位置形成开窗的窗口，接着根据窗口对相应的高压栅氧层以及低压栅氧层进行刻蚀，而在光刻工艺的显影环节中，对经过曝光处理的复合结构上的刻蚀阻挡层进行溶解值后，需对溶解后的复合结构进行两次清洗，以去除残留的显影液以及残留的被溶解的刻蚀阻挡层，但是这种清洗操作仍然会在每个有源区和相邻的浅沟槽之间残留被溶解的刻蚀阻挡层，导致最终图形成像失败，影响了双栅极的品质。发明内容[0003]针对现有技术中对复合结构顶部的刻蚀阻挡层进行显影存在的上述问题，现提供一种旨在显影环节中，可将复合结构上的溶解的刻蚀阻挡层以及残留的显影液进行去除，进而可避免残留的刻蚀阻影响复合结构最终形成双栅极的品质的显影方法[0004]具体技术方案如下：[0005]一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的