制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103295923A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103295923103295923A(43)申请公布日2013.09.11(21)申请号201310082571.X(22)申请日2013.03.01(30)优先权数据2012-0463302012.03.02JP(71)申请人瑞萨电子株式会社地址日本神奈川县(72)发明人大野荣治大杉英司(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人王茂华张宁(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书13页说明书13页附图26页附图26页(54)发明名称制造半导体器件的方法和半导体器件(57)摘要本发明的一些实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。提供一种半导体器件，其具有减小的尺寸和厚度，同时抑制可靠性的恶化。在利用研磨材料在半导体晶片的背表面将半导体晶片研磨至预定厚度之后，沿着切割区域对得到的半导体晶片进行划片以获得多个半导体芯片。在每个半导体芯片的背表面上留下研磨沟的同时，将半导体芯片经由导电树脂膏剂放置在裸片连接盘的上表面上，使得半导体芯片的背表面与裸片连接盘的上表面彼此面对。裸片连接盘在其上表面上具有凹部，该凹部具有从凹部的边缘到凹部的底部为3μm到10μm的深度。CN103295923ACN103295ACN103295923A权利要求书1/2页1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供第一厚度的半导体晶片，所述半导体晶片具有第一主表面、设置在所述第一主表面之上的多个芯片区域、设置在彼此相邻的两个芯片区域之间的切割区域以及在与所述第一主表面相对侧的第二主表面；(b)利用研磨材料对所述半导体晶片的第二主表面进行研磨，以将所述半导体晶片的厚度减小至第二厚度，同时在所述第二主表面上留下多个研磨沟；(c)沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行划片，同时在所述半导体晶片的第二主表面上留下所述研磨沟以获得半导体芯片；(d)提供母衬底，所述母衬底由金属制成且具有多个芯片安装区域，所述芯片安装区域具有第一电极板和远离所述第一电极板放置的第二电极板；(e)经由导电树脂膏剂在所述第一电极板的上表面之上放置所述半导体芯片，以使所述半导体芯片的背表面与所述第一电极板的上表面彼此面对，同时在所述半导体芯片的背表面上留下所述研磨沟；(f)在所述步骤(e)之后，经由导电部件将所述半导体芯片的键合焊盘电耦合到所述第二电极板；(g)在所述步骤(f)之后，利用树脂密封所述半导体芯片、所述导电部件、所述第一电极板的一部分、所述第二电极板的一部分和所述母衬底的上表面，以形成树脂模制件；以及(h)在所述步骤(g)之后，将所述母衬底从所述树脂模制件剥离，并且使所述第一电极板的下表面和所述第二电极板的下表面从所述树脂模制件露出。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述研磨材料具有从#320到#4000的粗糙度。3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述研磨材料具有#2000的粗糙度。4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述步骤(c)中的半导体芯片的背表面的表面粗糙度就最大高度Ry而言为0.2μm。5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述研磨材料为金刚石磨石。6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一电极板在其上表面上具有凹部，并且所述凹部具有从所述凹部的边缘到所述凹部的底部的为3μm到10μm的深度。7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中在所述步骤(e)中，所述导电树脂膏剂从所述半导体芯片的背表面散布到所述半导体芯片的侧表面的一部分。8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中当经由所述导电树脂膏剂将所述半导体芯片放置在所述第一电极板的上表面之上时，利用所述半导体芯片完全覆盖所述第一电极板的上表面。9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第二电极板在其上表面上具有凹部，并且所述凹部具有从所述凹部的边缘到2CN103295923A权利要求书2/2页所述凹部的底部的为3μm到10μm的深度。10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述导电树脂膏剂为银膏剂。11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一电极板和所述第二电极板均具有镍膜和在所述镍膜之上形成的银膜或金膜。12.一种树脂模制的半导体器件，包括：第一电极板；半导体芯片，所述半导体芯片具有表面、在所述表面之上形成的键合焊盘以及在与所述表面相对侧的背表面，并且所述半导体芯片放置在所述第一电极板的上表面之上，使得所述背表面与所述第一电极板的上表面彼此面对；第二电极板，