用于制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105609413A(43)申请公布日2016.05.25(21)申请号201510774099.5H01L29/06(2006.01)(2006.01)(22)申请日2015.11.13H01L29/423(30)优先权数据102014116706.62014.11.14DE(71)申请人英飞凌科技奥地利有限公司地址奥地利菲拉赫(72)发明人M.珀尔兹尔(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人申屠伟进杜荔南(51)Int.Cl.H01L21/283(2006.01)H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图11页(54)发明名称用于制造半导体器件的方法和半导体器件(57)摘要本发明涉及用于制造半导体器件的方法和半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括：提供具有主表面（101）的半导体基底（199）和在相邻半导体台面（191、192）之间的沟槽（190）内的栅电极（150）。栅电极（150）通过各自的电介质层与相邻半导体台面（191、192）绝缘。在相邻半导体台面（191、192）中的每个上形成各自的立柱（201、202），从而在沟槽（190）之上在立柱（201、202）之间留下开口（400）。沿各自的立柱侧壁在开口（400）中形成电介质接触间隔物（211、212）以收窄栅电极（150）之上的开口（400）。形成与栅电极（150）具有界面（610）的导体（330）。界面（610）沿栅电极（150）的延伸而延伸，并且导体（330）具有比栅电极（150）的电导率更大的电导率。CN105609413ACN105609413A权利要求书1/2页1.一种制造半导体器件（1）的方法，所述方法包括：提供包括主表面（101）的半导体基底（199）和在相邻半导体台面（191、192）之间的沟槽（190）内的栅电极（150），其中，所述栅电极（150）通过各自的电介质层（200）与所述相邻半导体台面（191、192）电气地绝缘；在所述相邻半导体台面（192）中的每个上形成各自的立柱（201、202），从而在所述沟槽（190）之上在所述立柱（201、202）之间留下开口（400）；沿各自的立柱侧壁（251、252）在所述开口（400）中形成电介质接触间隔物（211、212）以收窄所述栅电极（150）之上的所述开口（400）；以及在形成所述电介质接触间隔物（211、212）之后，形成与所述栅电极（150）具有界面（610）的导体（330），所述界面（610）沿所述栅电极（150）的延伸而延伸，其中，所述导体（330）具有比所述栅电极（150）的电导率更大的电导率。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述导体（330）之前，使用所述电介质间隔物（211、212）作为蚀刻掩模将凹陷（345）蚀刻到所述栅电极（150）的顶表面中。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述立柱（201、202）在提供所述栅电极（150）之后被形成。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：形成电接触（315），所述电接触（315）关于所述相邻半导体台面（191、192）自对准，并且与所述相邻半导体台面（191、192）中的至少一个电气接触，其中，所述电气接触（315）与所述导体（330）绝缘。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括：在形成所述导体（330）之后移除所述立柱（201、202）以暴露各自相邻半导体台面（191、192）的顶表面（196、197），并且暴露所述电介质接触间隔物（211、212）的外侧壁（221、222），所述外侧壁（221、222）背向彼此。6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：在形成所述电接触（315）之前，加宽所述电介质接触间隔物（211），以减少所述半导体台面（191、192）的顶表面（196、197）的暴露的表面积；以及掩蔽所述导体（150）之上的所述电介质接触间隔物（211、212）之间的区域。7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，形成所述电接触（315）包括将导电材料沉积到所述半导体台面（191、192）中的至少一个的暴露的顶表面（196、197）上。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述导体（330）使得所述导体（330）的顶表面（350）在所述电介质接触间隔物（211、212）之间的开口（400）中。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成所述导体（330）使得所述导体（330）从所述主表面（101）之下延伸到所述主表面（101）之上。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在到所述主表面（101