用于制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106062976A(43)申请公布日2016.10.26(21)申请号201580009283.9菲利普·克罗伊特尔(22)申请日2015.02.17(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司1(30)优先权数据1227102014102029.42014.02.18DE代理人丁永凡张春水(85)PCT国际申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2016.08.18H01L33/38(2006.01)H01L31/0224(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2015/0532782015.02.17(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/124551DE2015.08.27(71)申请人欧司朗光电半导体有限公司地址德国雷根斯堡(72)发明人诺温·文马尔姆亚历山大·F·普福伊费尔坦森·瓦尔盖斯权利要求书2页说明书10页附图17页(54)发明名称用于制造半导体器件的方法和半导体器件(57)摘要提出一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射；b)在第二半导体层的背离第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31)；c)构成多个穿过半导体层序列的留空部(29)；d)在留空部中构成传导层(4)用于在第一半导体层和第一连接层之间建立导电连接；和e)分割成多个半导体器件，其中从半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20)，所述半导体本体具有多个留空部中的至少一个留空部，并且该至少一个留空部在半导体本体的俯视图中完全地由半导体本体包围。此外，提出一种半导体器件。CN106062976ACN106062976A权利要求书1/2页1.一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射；b)在所述第二半导体层的、背离所述第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31)；c)构成多个穿过所述半导体层序列的留空部(29)；d)在所述留空部中构成传导层(4)，所述传导层用于在所述第一半导体层和所述第一连接层之间建立导电连接；和e)分割成多个半导体器件，其中从所述半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20)，所述半导体本体具有多个所述留空部中的至少一个留空部，并且该至少一个留空部在所述半导体本体的俯视图中完全地由所述半导体本体包围。2.根据权利要求1所述的方法，其中施加用于在所述有源区域和所述传导层之间电绝缘的分离层(73)，所述分离层至少在所述第二半导体层的和所述有源区域的高度上覆盖所述留空部的侧面(290)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中将用于所述分离层的材料整面地施加到具有所述留空部的所述半导体层序列上以构成所述分离层，并且借助于方向选择性的刻蚀方法移除所述材料，使得由所述分离层覆盖仅倾斜于或垂直于所述半导体层序列的半导体层的主延伸平面伸展的面。4.根据权利要求3所述的方法，其中在随后的另一方向选择性的刻蚀方法中，移除所述分离层的其它材料，并且使所述第一半导体层局部地在所述留空部中露出。5.根据权利要求4所述的方法，其中通过所述另一方向选择性的刻蚀方法使所述第一连接层露出。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在构成所述留空部之前，在所述半导体层序列和所述第一连接层之间构成具有开口(712)的第一绝缘层(71)，其中所述留空部构成为，使得所述留空部在所述半导体层序列的俯视图中与所述开口重合。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤c)之前移除用于所述半导体层序列的生长衬底(200)。8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在施加所述传导层之前，将具有多个开口(81)的掩模层(8)施加到所述半导体层序列上，并且每个留空部在俯视图中完全地设置在多个所述开口中的一个开口内部，并且所述第一半导体层在所述留空部的侧部局部地没有所述掩模层。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述开口随着距所述半导体层序列的距离增加而渐缩，并且以主沉积方向沉积用于所述传导层的材料，使得在俯视图中，所述传导层的已沉积在所述开口中的材料与所述传导层的沉积在所述掩模层上的材料重合，其中所述主沉积方向倾斜于竖直方向伸展，所述竖直方向垂直于所述半导体层序列的主延伸平面伸展。10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，2CN106062976