基板处理方法和基板处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103426746A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103426746103426746A(43)申请公布日2013.12.04(21)申请号201310173326.X(22)申请日2013.05.10(30)优先权数据2012-1104472012.05.14JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人仙波昌平吹野康彦(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇张会华(51)Int.Cl.H01L21/3065(2006.01)H01J37/32(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书14页说明书14页附图11页附图11页(54)发明名称基板处理方法和基板处理装置(57)摘要本发明提供基板处理方法和基板处理装置，能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室（11）和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路（12）的导入管（19）的基板处理装置（10）中，在对自上方以第1层、第2层以及第3层的顺序层叠有第1层、第2层以及第3层的基板（S）连续地实施蚀刻处理时，在蚀刻第1层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第1蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第2层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第2蚀刻气体挤出而排出，在蚀刻第3层后，使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室的第3蚀刻气体挤出而排出。CN103426746ACN1034267ACN103426746A权利要求书1/2页1.一种基板处理方法，其用于在基板处理装置中使用多种处理气体来对基板连续地实施多个处理，该基板处理装置具有处理室和用于向该处理室导入处理气体的处理气体导入路径，该基板处理方法的特征在于，该基板处理方法具有气体置换步骤，在该气体置换步骤中，在一个处理与接着该一个处理的下一个处理之间，停止向上述处理室导入上述处理气体，使均不妨碍上述一个处理和上述下一个处理的置换气体流入到上述处理气体导入路径而将该置换气体导入到上述处理室中。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在利用上述置换气体将上述一个处理所使用的处理气体自上述处理气体导入路径和上述处理室排出后，使上述下一个处理所使用的处理气体流入到上述处理气体导入路径中，并进一步将上述下一个处理所使用的处理气体导入到上述处理室中。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板处理装置还包括处理气体流入装置，该处理气体流入装置用于使多种处理气体分别流入到上述处理气体导入路径中，在上述气体置换步骤中，至少在上述处理气体流入装置最邻接的下游使上述处理气体停止向上述处理气体导入路径流入并且使上述置换气体流入到上述处理气体导入路径中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，上述基板处理装置还包括：排气系统，其用于对上述处理室进行抽真空；以及旁路，其自上述处理气体导入路径分支而使该处理气体导入路径和上述排气系统直接连通，在上述气体置换步骤中，在上述处理室与上述旁路之间将上述处理气体导入路径断开，并且使上述置换气体在至少不比上述处理气体导入路径被断开的部位靠上游的位置处流入到上述处理气体导入路径，并进一步将上述置换气体导入到上述处理室中。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，上述置换气体由稀有气体构成。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，上述处理室在内部具有处理空间，上述基板处理装置还包括用于向上述处理空间施加高频电力的高频电源，施加的上述高频电力使处理气体生成等离子体，在执行上述多个处理的期间，上述高频电源向上述处理空间施加高频电力，并且在上述气体置换步骤中也继续向上述处理空间施加高频电力。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，在上述气体置换步骤中向上述处理空间施加的高频电力的值小于在执行上述多个处理的期间向上述处理空间施加的高频电力的值。8.一种基板处理装置，其包括：处理室；处理气体导入路径，其用于向该处理室导入处理气体；以及处理气体流入装置，其用于使多种处理气体分别流入到上述处理气体导入路径中，该基板处理装置的特征在于，该基板处理装置包括：开闭阀，其设于上述处理气体流入装置与上述处理气体导入路径之间；以及置换气体流入路径，其用于使置换气体流入到上述处理气体导入路径中，上述置换气体流入路径在不比上述开闭阀靠上游的位置处与上述处理气体导入路径2CN103426746A权利要求书2/2页汇合。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，上述开闭阀是三通阀，上述置换气体流入路径借助上述三通阀与上述处理气体导入路径