基板处理装置和基板处理方法.pdf
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基板处理装置和基板处理方法.pdf
本公开的一个方式的基板处理装置(1)具备控制部(61),所述控制部(61)并行地执行第一制程和第二制程,所述第一制程和第二制程是包括从交接部(14)向液处理部(17)搬送基板的第一搬送处理、通过液处理部(17)进行的液处理、从液处理部(17)向干燥处理部(18)搬送基板的第二搬送处理以及通过干燥处理部(18)进行的干燥处理的两个制程,其中,至少液处理及干燥处理的处理时间在所述第一制程和与第二制程中互不相同。当在执行针对多个基板中的第一基板的第一制程的期间开始执行针对多个基板中的第二基板的第二制程的情况下,
基板处理方法和基板处理装置.pdf
提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO
基板处理方法和基板处理装置.pdf
本发明涉及基板处理方法和基板处理装置,使图案的上下方向上的蚀刻量的均匀性提高。基板处理方法包括蚀刻工序、温度差形成工序、清洗工序。蚀刻工序对在第一面形成有图案的基板的第一面供给蚀刻液来蚀刻图案。温度差形成工序与蚀刻工序并行地进行,使图案的下部的温度比图案的上部的温度低。清洗工序对蚀刻工序后的第一面供给清洗液,由此将残留于图案的蚀刻液置换为清洗液。
基板处理装置和基板处理方法.pdf
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提高基板处理装置的生产率并抑制专用地面面积。装置构成为具备:载体模块,其具备包含基板送入送出用的载体载置部的多个载体载置部;处理模块,其相对于载体模块设于左右的一侧;第1载体载置部和第2载体载置部,其均是载体载置部且俯视时在前后方向上排列地设置,至少一者是基板送入送出用的载体载置部;沿纵向排列的多个基板载置部,其相对于在俯视时的第1载体载置部与第2载体载置部之间形成的基板的输送区域设于左右的一侧;第1基板输送机构,其设于输送区域;和第2基板输送机构,其在第1基板载置部
基板处理装置和基板处理方法.pdf
构成一种基板处理装置,具备:处理液供给喷嘴,其至少向基板的表面的周缘部供给处理液来进行处理;载置台,其载置被供给所述处理液的所述基板;移动体,其包括用于检测与载置于所述载置台的所述基板之间的距离的第一距离传感器;移动机构,其使所述移动体在所述基板的周缘部上横向地移动,以获取所述基板的周缘部处的靠该基板的中心的位置即第一位置与比该第一位置靠所述基板的周端侧的位置即第二位置之间的高度分布;以及旋转机构,其使所述载置台相对于所述移动体旋转,以分别获取在所述基板的周向上彼此分离的多个位置处的所述高度分布。