基板处理方法和基板处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108352309A(43)申请公布日2018.07.31(21)申请号201680064463.1(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通(22)申请日2016.10.14合伙)11277代理人刘新宇(30)优先权数据2015-2177012015.11.05JP(51)Int.Cl.H01L21/302(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/3065(2006.01)2018.05.04(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2016/0811902016.10.14(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/077876JA2017.05.11(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人富田正彦高桥宏幸权利要求书2页说明书12页附图7页(54)发明名称基板处理方法和基板处理装置(57)摘要提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO2层(49)，排出多余的HF气体，朝向吸附有HF气体的分子的角部SiO2层(49)供给NH3气体，使角部SiO2层(49)、HF气体以及NH3气体发生反应来生成AFS(48)，使AFS(48)升华来去除该AFS(48)。CN108352309ACN108352309A权利要求书1/2页1.一种基板处理方法，至少局部地去除基板的表面形成的被处理膜，其特征在于，包括以下工序：第一蚀刻工序，对所述被处理膜实施第一蚀刻；以及第二蚀刻工序，对被实施了所述第一蚀刻的被处理膜实施第二蚀刻，其中，所述第二蚀刻工序具有以下工序：吸附工序，使第一处理气体的分子吸附于被实施了所述第一蚀刻的被处理膜；生成工序，朝向吸附有所述第一处理气体的分子的被处理膜供给第二处理气体，使所述被处理膜、所述第一处理气体以及所述第二处理气体发生反应来生成生成物；以及去除工序，使所生成的所述生成物升华来去除该生成物。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，关于所述第二蚀刻工序，在所述吸附工序与所述生成工序之间还具有排出工序，在该排出工序中排出多余的所述第一处理气体。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一蚀刻工序具有使所述被处理膜变质为其它生成物的反应工序和使所述其它生成物升华来去除该其它生成物的其它去除工序。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在重复执行了多次所述第一蚀刻工序之后，执行所述第二蚀刻工序。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述被处理膜形成于在所述基板的表面形成的槽的内部。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一处理气体是卤素系气体，所述第二处理气体是碱性气体，所述被处理膜是硅系的膜。7.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一处理气体是碱性气体，所述第二处理气体是卤素系气体，所述被处理膜是硅系的膜。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第二蚀刻工序中，所述基板的温度被保持在70℃～120℃之间。9.一种基板处理装置，具备：载置台，其载置表面形成有被处理膜的基板；处理室，其收容所述载置台；处理气体供给部，其向所述处理室的内部供给第一处理气体和第二处理气体；以及控制部，其控制所述处理气体供给部的动作，其中，在所述载置台上载置有所述基板时，所述控制部执行对所述被处理膜实施第一蚀刻的第一蚀刻工序和对被实施了所述第一蚀刻的被处理膜实施第二蚀刻的第二蚀刻工序，在所述第二蚀刻工序中，所述控制部通过控制所述处理气体供给部的动作来使第一处理气体的分子吸附于被实施了所述第一蚀刻的被处理膜，并且朝向吸附有所述第一处理气体的分子的被处理膜供给第二处理气体，使所述被处理膜、所述第一处理气体以及所述第二处理气体发生反应来生成生成物。2CN108352309A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，还具备温度调节部，该温度调节部对所述载置台上载置的基板的温度进行调节，在所述第二蚀刻工序中，所述控制部通过控制所述温度调节部的动作使所生成的所述生成物升华来去除该生成物。3CN108352309A说明书1/12页基板处理方法和基板处理装置技术领域[0001]本发明涉及一种利用半导体晶圆的基板处理方法和基板处理装置。背景技术[0002]在利用了半导体晶圆(以下，简称为“晶圆”。)的电子设备的制造方法中，例如执行以下工序：成膜工序，在晶圆的表面形成导电膜、绝缘膜；光刻工序，在所形成的导电膜、绝缘膜上形成规定的图案的光致抗蚀剂层；以