基板处理方法和基板处理装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108242390A(43)申请公布日2018.07.03(21)申请号201711445960.9(22)申请日2017.12.27(30)优先权数据2016-2524282016.12.27JP(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人米川裕基高桥周平立花康三西村英树(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图11页(54)发明名称基板处理方法和基板处理装置(57)摘要本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，使图案的上下方向上的蚀刻量的均匀性提高。基板处理方法包括蚀刻工序、温度差形成工序、清洗工序。蚀刻工序对在第一面形成有图案的基板的第一面供给蚀刻液来蚀刻图案。温度差形成工序与蚀刻工序并行地进行，使图案的下部的温度比图案的上部的温度低。清洗工序对蚀刻工序后的第一面供给清洗液，由此将残留于图案的蚀刻液置换为清洗液。CN108242390ACN108242390A权利要求书1/2页1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：蚀刻工序，对在第一面形成有图案的基板的所述第一面供给蚀刻液来蚀刻所述图案；温度差形成工序，与所述蚀刻工序并行地进行，使所述图案的下部的温度比所述图案的上部的温度低；以及清洗工序，通过对所述蚀刻工序后的所述第一面供给清洗液来将残留于所述图案的所述蚀刻液置换为所述清洗液。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洗工序中，对所述蚀刻工序后的所述第一面供给清洗液，并且利用以比所述图案的上部高的浓度残留于所述图案的下部的所述蚀刻液，相比于所述图案的上部将所述图案的下部更多地蚀刻。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，所述温度差形成工序中，对所述基板的与所述第一面相反一侧的第二面供给比所述蚀刻液低温的流体，由此使所述图案的下部的温度比所述图案的上部的温度低。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述流体为纯水。5.根据权利要求3或4所述的基板处理方法，其特征在于，所述蚀刻工序包括：第一蚀刻工序，对所述第二面供给加热流体，并且对所述第一面供给所述蚀刻液；以及第二蚀刻工序，在停止对所第二面供给所述加热流体的状态下对所述第一面供给所述蚀刻液，所述温度差形成工序与所述第二蚀刻工序并行地进行。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述温度差形成工序中，利用辐射热或热风来加热所述基板的所述第一面，由此使所述图案的上部的温度比所述图案的下部的温度高。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述蚀刻工序中，一边交替重复进行使所述蚀刻液的流量增加的增加工序与使在所述增加工序中增加了的所述蚀刻液的流量减少的减少工序，一边对所述第一面供给所述蚀刻液。8.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述蚀刻工序中，一边交替重复进行使所述基板的转速增加的增速工序与使所述基板的转速减少的减速工序，一边对所述第一面供给所述蚀刻液。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述蚀刻工序包括：第一移动工序，使所述蚀刻液的喷出位置从所述基板的中心部向外周部移动；以及第二移动工序，使所述蚀刻液的喷出位置从所述基板的外周部向中心部移动，所述减速工序与所述第一移动工序并行地进行，所述增速工序与所述第二移动工序并行地进行。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洗工序中，一边交替重复进行使所述基板的转速增加的增速工序与使所述基板的转速减少的减速工序，一边对所述第一面供给所述清洗液。2CN108242390A权利要求书2/2页11.一种基板处理装置，其特征在于，具备：保持部，其用于保持在第一面形成有图案的基板；蚀刻液供给部，其对被保持于所述保持部的所述基板的所述第一面供给蚀刻液来蚀刻所述图案；温度差形成部，其与由所述蚀刻液供给部进行的所述蚀刻液的供给并行地使所述图案的下部的温度比所述图案的上部的温度低；以及清洗液供给部，其对被供给了所述蚀刻液后的所述第一面供给清洗液，由此将残留于所述图案的下部的所述蚀刻液置换为所述清洗液。3CN108242390A说明书1/9页基板处理方法和基板处理装置技术领域[0001]公开的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。背景技术[0002]以往，已知一种通过向半导体晶圆等基板供给蚀刻液来对基板上的图案进行加工的蚀刻工序(参照专利文献1)。在蚀刻工序后，进行通过向基板供给清洗液来将残留于基板上的蚀刻液置换为清洗液的清洗工序。[0003]