引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103681585103681585A(43)申请公布日2014.03.26(21)申请号201310752935.0(22)申请日2013.12.31(71)申请人苏州日月新半导体有限公司地址215021江苏省苏州市苏州工业园区苏虹西路188号(72)发明人郭桂冠(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287代理人章蕾(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/60(2006.01)H01L21/56(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图5页附图5页(54)发明名称引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法(57)摘要本发明涉及引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法。一种适于QFN封装的引线框架包括第一芯片座和相邻的第二芯片座、第一引脚阵列和第二引脚阵列。第一、第二引脚阵列配置为连接位于其各自近侧的第一、第二芯片座的电路。第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起，且在曝露表面具有凹槽，该凹槽在去除连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。凹槽的该保留的部分在单独的芯片封装体中曝露在外，在表面贴装程序中，融化的焊料更容易沿凹槽浸润以使得表面贴装更为牢固。CN103681585ACN103685ACN103681585A权利要求书1/2页1.一种适于QFN封装的引线框架，其特征在于，该引线框架包括：第一芯片座和相邻的第二芯片座；第一引脚阵列，其位于所述第一芯片座朝向所述第二芯片座的一侧，配置为连接位于所述第一芯片座的电路；第二引脚阵列，其位于所述第二芯片座朝向所述第一芯片座的一侧，配置为连接位于所述第二芯片座的电路；其中，所述第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起，且在所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的曝露表面具有凹槽，该凹槽在去除所述连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，还包括位于所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的端部的减薄突起。3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述连筋在引脚之间的桥接部分减薄。4.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽可经由贴膜封闭。5.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽的保留部分在引脚宽度方向上的最大宽度大于在引脚端部的开口宽度。6.一种QFN封装体，其特征在于，该QFN封装体包括：芯片座；引脚阵列，位于该芯片座的周围；芯片，固定于所述芯片座上，并且通过金属导线与所述引脚阵列电性连接；胶体，其覆盖所述芯片和金属导线，且至少部分地覆盖所述芯片座和引脚阵列；其中，所述引脚阵列中至少一引脚上具有在外边缘开口的凹槽，该凹槽的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。7.如权利要求6所述的QFN封装体，其特征在于，所述凹槽在引脚宽度方向上的最大宽度大于在引脚外边缘的开口宽度。8.一种形成QFN封装体的方法，其特征在于，该方法包括：形成引线框架，该引线框架包括：第一芯片座和相邻的第二芯片座；第一引脚阵列，其位于所述第一芯片座朝向所述第二芯片座的一侧，配置为连接位于所述第一芯片座的电路；第二引脚阵列，其位于所述第二芯片座朝向所述第一芯片座的一侧，配置为连接位于所述第二芯片座的电路；其中，所述第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起；以及在所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的曝露表面形成凹槽，该凹槽在去除所述连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。2CN103681585A权利要求书2/2页9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括步骤：在所述引线框架的曝露表面加膜；灌胶封装；切单去除所述连筋以形成QFN封装体。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述加膜步骤将所述凹槽封闭。11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：在引脚之间的桥接部分减薄所述连筋。3CN103681585A说明书1/6页引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法技术领域[0001]本发明大体上涉及芯片封装，更具体地，涉及方形扁平无引脚