一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103773626103773626A(43)申请公布日2014.05.07(21)申请号201210410184.X(22)申请日2012.10.24(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人刘兵彭洪修孙广胜颜金荔(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.C11D7/32(2006.01)C11D7/26(2006.01)C11D7/60(2006.01)G03F7/42(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液(57)摘要本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有（a）醇胺，（b）醇醚，(c)水，(d)邻苯三酚和/或其衍生物，e）没食子酸和/或其酯。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够同时去除金属线（metal）、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物，同时对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本没有攻击。在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN103773626ACN103762ACN103773626A权利要求书1/1页1.一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液，其包含：醇胺，醇醚，邻苯三酚和/或其衍生物，没食子酸和/或其酯，水。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述清洗液不包含羟胺。3.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述清洗液不包含氟化物。4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述醇胺的质量百分比含量为40-70wt%，所述醇醚的质量百分比含量为10-40wt%，所述邻苯三酚和/或其衍生物的质量百分比含量为0.1-10wt%，所述没食子酸和/或其酯的质量百分比含量为0.1-5wt%，所述水的质量百分比含量为10-30wt%。5.如权利要求4所述的清洗液，其特征在于：所述醇胺的质量百分比含量为50-65wt%，所述醇醚的质量百分比含量为15-30wt%，所述邻苯三酚和/或其衍生物的质量百分比含量为0.5-5wt%，所述没食子酸和/或其酯的质量百分比含量为0.5-3wt%，所述水的质量百分比含量为15-25wt%。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。7.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的醇醚选自二乙二醇单烷基醚和二丙二醇单烷基醚。8.如权利要求7所述的清洗液，其特征在于：所述的二乙二醇单烷基醚为二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚和/或二乙二醇单丁醚；所述的二丙二醇单烷基醚为二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚和/或二丙二醇单丁醚。9.如权利要求7所述的清洗液，其特征在于：所述的醇醚为二丙二醇单烷基醚。10.如权利要求9所述的清洗液，其特征在于：所述的醇醚为二丙二醇单甲醚。11.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的邻苯三酚和/或其衍生物选自邻苯三酚、5-甲基邻苯三酚、5-甲氧基邻苯三酚、5-叔丁基邻苯三酚和5-羟甲基邻苯三酚中的一种或多种。12.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于：所述的没食子酸和/或其酯选自没食子酸、没食子酸甲酯、没食子酸乙酯、没食子酸丁酯、没食子酸辛酯、没食子酸月桂酯和1-没食子酸甘油酯中的一种或多种。2CN103773626A说明书1/5页一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液。背景技术[0002]在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后（即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后）进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法（干法灰化和湿蚀刻）除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层（PR）的大部分；第二步利用缓蚀剂组合物湿蚀刻/清洗工艺除去且清洗掉剩余的光阻层，其步骤一般为清洗液清洗/漂洗/干燥。在这个过程中只能除去残留的聚合物光阻层和无机物，而不能攻击损害金属层如铝层。[0003]在目前的湿法清洗工艺中，用得最多的清洗液是含有羟胺类和含氟类的清洗液，羟胺类清洗液的典型专利有US6319885、US5672577、US6030932、US6825156和US541977