一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103809394103809394A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201210451687.1(22)申请日2012.11.12(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人刘兵彭洪修孙广胜颜金荔(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液(57)摘要本发明提供了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有氟化物，有机溶剂，水，氧化剂以及螯合剂。本发明所公开的去除光阻蚀刻残留物的清洗液不含有任何无机或有机纳米或微米颗粒。该清洗液在去除晶圆上的光阻残留物同时，对于基材如金属铝，非金属二氧化硅等基本无腐蚀，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN103809394ACN103894ACN103809394A权利要求书1/1页1.一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液包括氟化物，有机溶剂，水，氧化剂以及螯合剂。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述氟化物的含量为0.05-20wt%。3.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂的含量为10-75wt%。4.如权利要求3所述的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂的含量为20-60wt%。5.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述水的含量为15-85wt%。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述氧化剂的含量为0.1-10wt%。7.如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，所述氧化剂的含量为0.5-5wt%。8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述螯合剂的含量为0.05-20wt%。9.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的氟化物选自氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、四甲基氟化铵和三羟乙基氟化铵中的一种或多种。10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺、醇、醇胺和醇醚中的一种或多种。11.如权利要求10所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种，所述的砜选自甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮选自N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇选自异丙醇、丙二醇和丙三醇中的一种或多种；所述的醇胺选自乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的一种或多种；所述的醇醚选自乙二醇烷基醚、丙二醇烷基醚中的一种或多种。12.如权利要求11所述的清洗液，其特征在于，所述的乙二醇烷基醚选自乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚和二乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述的丙二醇烷基醚选自丙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。13.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的氧化剂选自双氧水、过硫酸、过硫酸铵、过氧乙酸、过氧乙酸铵中的一种或多种。14.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的螯合剂选自有机多胺、有机多元酸中的一种或多种。15.如权利要求14所述的清洗液，其特征在于，所述的有机多胺选自二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一种或多种；所述的有机多元酸选自乙二酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、富马酸、马来酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、反-1,2-环己二胺四乙酸中的一种或多种。16.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液不含有无机和/或有机的纳米和/或微米颗粒。2CN103809394A说明书1/5页一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种清洗液，更具体地说，涉及一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液。背景技术[0002]在半导体元器件制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后（即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后）进行下一工艺步骤之前，光阻层材料的残留物需彻底除去。在掺杂步骤中离子轰击会硬化光阻层聚合物，因此使得光阻层变得不易溶解从而更难于除去。至今在半导体制造工业中一般使用两步法（干法灰化和湿蚀刻）除去这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层（PR）的大部分；第二步利用缓蚀剂