一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106919013A(43)申请公布日2017.07.04(21)申请号201510999612.0(22)申请日2015.12.28(71)申请人安集微电子（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层以及第3层的部分区域(72)发明人何春阳刘兵王鹏程(74)专利代理机构北京大成律师事务所11352代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书9页(54)发明名称一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液(57)摘要本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有(a)季胺氢氧化物(b)醇胺(c)有机溶剂(d)C2-C6多元醇(e)咪唑及其衍生物。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，且对金属铜、铝等基本不腐蚀；在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN106919013ACN106919013A权利要求书1/1页1.一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液，包含，季胺氢氧化物，醇胺以及有机溶剂，其特征在于，还包含C2-C6多元醇和咪唑及其衍生物。2.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述季铵氢氧化物为选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。3.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述季铵氢氧化物的含量为0.1％-6％。4.如权利要求3所述的清洗液，其中，所述季铵氢氧化物的含量为0.5％-4％。5.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺的一种或多种。6.如权利要求5所述的清洗液，其中，所述醇胺为单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。7.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺的含量为0.1％-30％。8.如权利要求7所述的清洗液，其中，所述醇胺的含量为0.5％-20％。9.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述C2-C6多元醇选自乙二醇、1,2-丙二醇、丙三醇、1，4-丁二醇、季戊四醇、木糖醇、葡萄糖、果糖、甘露醇、山梨醇中的一种或多种。10.如权利要求9所述的清洗液，其中，所述C2-C6多元醇为1，2-丙二醇、丙三醇、木糖醇及其混合物。11.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述C2-C6多元醇的含量为0.01％-8％。12.如权利要求11所述的清洗液，其中，所述C2-C6多元醇的含量为0.2％-2％。13.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述咪唑及其衍生物选自咪唑、1-丁基咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、1-乙酰咪唑、苯并咪唑中的一种或多种。14.如权利要求13所述的清洗液，其中，所述咪唑及其衍生物为咪唑、苯并咪唑及其混合物。15.如权利要求1所述，其中，所述咪唑及其衍生物的含量为0.1-5％。16.如权利要求15所述，其中，所述咪唑及其衍生物的含量为0.5-2％。17.如权利要求1所述的清洗液，其中，所述有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。18.如权利要求17所述的清洗液，其中，所述亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚为二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。2CN106919013A说明书1/9页一种低蚀刻的去除光阻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种用于去除半导体晶片上光阻残留物的清洗液。背景技术[0002]在通常的半导体制造工艺中，通过使用光刻胶可以在一些材料的表面上形成掩膜，并在曝光后可实现图形转移，但是，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去材料表面残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能对基材产生腐蚀作用。[0003]目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，此类清洗液主要通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，从而去除半导体晶片上的光刻胶。此类清洗液有，如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水。其可实现在50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光