一种低蚀刻的光阻清洗液组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106919012A(43)申请公布日2017.07.04(21)申请号201510999611.6(22)申请日2015.12.28(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人郑玢刘兵孙广胜黄达辉(74)专利代理机构北京大成律师事务所11352代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种低蚀刻的光阻清洗液组合物(57)摘要本发明公开了一种低蚀刻的光阻清洗液组合物，其含有(a)醇胺(b)溶剂(c)水(d)腐蚀抑制剂(e)醛类化合物。该清洗液不含氟化物和羟胺，且能够快速地去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶，能够在实现去除金属线(metal)、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时，对基材(如金属铝，金属钨，非金属二氧化硅等)基本没有攻击。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN106919012ACN106919012A权利要求书1/1页1.一种低蚀刻的光阻清洗液组合物，所述清洗液组合物，其特征在于，含有醇胺、溶剂、水、醛类化合物以及腐蚀抑制剂。2.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的醇胺为脂肪族的醇胺。3.如权利要求2所述的清洗液组合物，其中，所述的醇胺为单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、N,N-二甲基基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。4.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的醇胺的含量为10％-70％。5.如权利要求4所述的清洗液组合物，其中，所述的醇胺的含量为10％-60％。6.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。7.如权利要求6所述的清洗液组合物，其中，所述的亚砜为二甲基亚砜；所述的砜为环丁砜；所述的咪唑烷酮为1，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮；所述的咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为N,N-二甲基乙酰胺；所述的醇醚类为二元醇醚。8.如权利要求7中所述的清洗液组合物，其中，所述的二元醇醚选自乙二醇甲醚，乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，二乙二醇甲醚，三乙二醇丁醚，丙二醇丁醚，丙二醇甲醚，二丙二醇甲醚、二丙二醇丁醚、丙二醇丁醚中的一种或几种。9.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的溶剂的含量为10％-60％。10.如权利要求9所述的清洗液组合物，其中，所述的溶剂的含量为10％-43％。11.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的腐蚀抑制剂为酚类化合物。12.如权利要求11所述的清洗液组合物，其中，所述的腐蚀抑制剂选自邻苯二酚、对苯二酚、间苯二酚、联苯三酚、3-甲基邻苯二酚、4-苯乙基-1,3-苯二酚、4-叔丁基邻苯二酚、1,8-蒽醌二酚、5-(羟甲基)-1,3-苯二酚、5-甲基连苯三酚、4-苯甲基焦酚、5-甲氧基邻苯三酚、5-叔丁基邻苯三酚、5-羟甲基邻苯三酚中的一种或几种。13.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的腐蚀抑制剂的含量为1％-15％。14.如权利要求13所述的清洗液组合物，其中，所述的腐蚀抑制剂的含量为1％-10％。15.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的醛类化合物为含有共轭结构的醛类化合物。16.如权利要求15所述的清洗液组合物，其中，所述的醛类化合物选自反-2-己烯醛、2-壬烯醛、反-4-癸烯醛、十一烯醛、异环柠檬醛、柑青醛、甲基柑青醛、新铃兰醛、苯甲醛、苯乙醛、苯丙醛、桂醛、铃兰醛、香兰素、乙基香兰素、香茅醛、葡醛内酯、肉桂醛、对酞醛酸、4-甲氧-5-甲鄰二醛苯甲酸中的一种或几种。17.如权利要求1所述的清洗液组合物，其中，所述的醛类化合物的含量为0.1％-10％。18.如权利要求17所述的清洗液组合物，其中，所述的醛类化合物的含量为0.1％-5％。2CN106919012A说明书1/6页一种低蚀刻的光阻清洗液组合物技术领域[0001]本发明涉及一种用于半导体晶片清洗的清洗液，尤其涉及一种不含氟化物和羟胺的低蚀刻性的光阻清洗液组合物。背景技术[0002]在半导体元器件的制造过程中，光阻层的涂敷、曝光和成像等图案制造工艺是其必不可少的工艺步骤。但在该图案化工艺(光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻)之后，会有部分光阻层材料残留物存在材料表面，所以，在进行下一道工艺步骤之前，需彻底清除该光阻材料残留物。通常，在半导体器件的制程中需使用几十次光刻工艺，且半导体等离子蚀刻气体的离子及自由基