一种去除蚀刻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113568286A(43)申请公布日2021.10.29(21)申请号202010352134.5(22)申请日2020.04.28(71)申请人安集微电子科技（上海）股份有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6－9幢底层(72)发明人程章刘兵肖林成彭洪修(74)专利代理机构北京大成律师事务所11352代理人李佳铭王芳(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种去除蚀刻残留物的清洗液(57)摘要本申请提供一种去除蚀刻残留物的清洗液，包括：氧化剂、水、有机溶剂、氟化物、无机酸和金属缓蚀剂。本发明的去除蚀刻残留物的清洗液的清洗能力强，能够有效地高选择性地去除3D-NAND结构中的TiN和TiSi硬掩模，并且对金属钨(W)和非金属材料(如SiON、SiN和SiO2等)有较小的腐蚀速率，从而达到选择性保护的效果，且操作窗口较大，尤其在25～60℃时，能够有效的保证TiN/W和TiSi/W蚀刻速率比大于10，适用于批量旋转清洗方式，在半导体晶片清洗领域具有良好的应用前景。CN113568286ACN113568286A权利要求书1/1页1.一种去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，包括：氧化剂、氟化物、无机酸、金属缓蚀剂、水和有机溶剂。2.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述氧化剂选自双氧水、过硫酸、单过硫酸、过氧乙酸、过氧乙酸铵、过硫酸铵、氯酸铵、高氯酸铵、碘酸铵、高碘酸铵、溴酸铵、高溴酸胺、高锰酸钾、三氟化铁、三氯化铁、硝酸铁或1,4-苯醌中的一种或多种。3.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述氟化物选自氟化氢、氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸铵、氟硼酸、氟硅酸、氟硅酸铵、六氟钛酸、六氟钛酸铵或氟化四烷基铵中的一种或多种。4.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述无机酸选自硝酸、盐酸、硫酸、焦硫酸、磷酸、焦磷酸、氢溴酸、高氯酸、高溴酸、高碘酸、正高碘酸或硒酸中的一种或多种。5.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂为单醇类、多元醇类、或醇胺类及其衍生物中的一种或多种。6.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、苯甲醇、苯乙醇、四氢糠醇、丙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、1,3-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇、1,2-苯二甲醇、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、甲基二乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺或2-氨基正丁醇中的一种或多种。7.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述金属缓蚀剂为碳原子数大于4的胺类及其衍生物。8.如权利要求7所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述金属缓释剂选自正丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十一胺、正十二胺、环戊胺、环己胺、环庚胺、环辛胺、苯甲胺、苯乙胺、2-甲基-3-苯基-2-丙胺、异辛胺、叔丁胺、1,6-己二胺、1,7-庚二胺、1,8-辛二胺、二丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、2-甲基己胺、8-氨基-正辛醇、8-氨基正辛酸或苯丙氨酸中的一种或多种。9.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述氧化剂的质量百分比含量为0.1％～50％。10.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述氟化物的质量百分比含量为0.01％～5％。11.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述无机酸的质量百分比含量为0.1％～10％。12.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述金属缓蚀剂的质量百分比含量为0.01％-3％。13.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述水的质量百分比含量为20％～80％。14.如权利要求1所述的去除蚀刻残留物的清洗液，其特征在于，所述有机溶剂的质量百分比含量为10％～50％。2CN113568286A说明书1/6页一种去除蚀刻残留物的清洗液技术领域[0001]本申请涉及半导体元件的清洗液，尤其涉及一种用于去除蚀刻残留物的清洗液。背景技术[0002]近年来，闪存技术快速发展，尤其是3D闪存结构发展迅速。3D-NAND是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，3D-NAND在电子产品中得到更广泛的应用。[0003]金属钨、氮化钛、硅化钛等材料在半导体器件中被广泛使用。而蚀