一种去除光阻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104238287104238287A(43)申请公布日2014.12.24(21)申请号201310245600.X(22)申请日2013.06.20(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人刘兵何春阳孙广胜(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称一种去除光阻残留物的清洗液(57)摘要本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及硅烷。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，对金属铜、铝等基本不腐蚀；在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN104238287ACN1042387ACN104238287A权利要求书1/1页1.一种用于去除光阻残留物的清洗液，含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，其特征在于，所述清洗液包含有硅烷。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述季铵氢氧化物为选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。3.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺为选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的硅烷为含有烷氧基的硅烷。5.如权利要求4所述的清洗液，其特征在于，所述的硅烷选自四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、三甲氧基甲基硅烷、三甲氧基乙基硅烷、三甲氧基丙基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、二甲氧基二乙基硅烷、三乙氧基甲基硅烷和（3-氨丙基）三乙氧基硅烷中的一种或多种。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的有机溶剂为选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。7.如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜为二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜较为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮为2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮和N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚为二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述季胺氢氧化物的浓度为质量百分比0.1-6%。9.如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，所述季胺氢氧化物的浓度为质量百分比0.5-3.5%。10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的浓度为质量百分比0.1-30%。11.如权利要求10所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的浓度为质量百分比0.5-20%。12.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述硅烷的浓度为质量百分比0.01～8%。13.如权利要求12所述的清洗液，其特征在于，所述硅烷的浓度为质量百分比0.5-5%。14.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液不含有羟胺、氟化物及氧化剂。2CN104238287A说明书1/5页一种去除光阻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种用于去除光阻残留物的清洗液。背景技术[0002]在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。[0003]目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3’-二甲基-2-咪唑烷酮（DMI）和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾（KOH）、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。其对半导体晶片基材的腐蚀较高。又例如US5480585公开了一种含非水体