一种去除光阻残留物的清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103838092103838092A(43)申请公布日2014.06.04(21)申请号201210480049.2(22)申请日2012.11.22(71)申请人安集微电子科技（上海）有限公司地址201201上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6-9幢底层(72)发明人刘兵彭洪修孙广胜颜金荔(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书5页说明书5页(54)发明名称一种去除光阻残留物的清洗液(57)摘要本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液。该去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。CN103838092ACN103892ACN103838092A权利要求书1/1页1.一种去除光阻残留物的清洗液，其特征在于，所述清洗液包括季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及聚醚改性有机硅。2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述季胺氢氧化物的含量为0.1-6wt%。3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述季胺氢氧化物的含量为0.5-3.5wt%。4.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量为0.1-20wt%。5.如权利要求4所述的清洗液，其特征在于，所述醇胺的含量为0.5-10wt%。6.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述聚醚改性有机硅的含量为0.01~3wt%。7.如权利要求6所述的清洗液，其特征在于，所述聚醚改性有机硅的含量为0.05-1wt%。8.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液中余量为有机溶剂。9.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的季胺氢氧化物选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种。10.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的醇胺选自单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺。优选单乙醇胺、三乙醇胺及其混合物。11.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述的溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。12.如权利要求11所述的清洗液，其特征在于，所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或多种；所述的砜较选自甲基砜、环丁砜中的一种或多种；所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；所述的吡咯烷酮选自N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种；所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或多种；所述的醇醚选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或多种。13.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液不含有研磨颗粒，羟胺和/或氟化物。2CN103838092A说明书1/5页一种去除光阻残留物的清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种清洗液，更具体地说，涉及一种去除光阻残留物的清洗液。背景技术[0002]在通常的半导体制造工艺中，通过在一些材料的表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。在这个过程中要求完全除去不需要的光刻胶，同时不能腐蚀任何基材。[0003]目前，光刻胶清洗液主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。如JP1998239865公开了一种含水体系的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮（DMI）和水。将晶片浸入该清洗液中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的光刻胶；其对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片上的光刻胶，清洗能力不足；又例如US5529887公开了由氢氧化钾（KOH）、烷基二醇单烷基醚、水溶性氟化物和水等组成碱性清洗液，将晶片浸入该清洗液中，在40～90℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。其对半导体晶片基材的腐蚀较高。又例如US5480585公开了一种含非水体系的清洗液，其组成是乙醇胺、环丁砜或二甲亚砜和邻苯二酚，能在40～120℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶，对金属基本无腐蚀。又例如US2005119142公开了一种含有烷氧基的聚合物、二