半导体装置及其制造方法、电子部件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103875063103875063A(43)申请公布日2014.06.18(21)申请号201280050894.4(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任(22)申请日2012.11.14公司11021代理人齐秀凤(30)优先权数据2011-2499392011.11.15JP(51)Int.Cl.H01L21/3205(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/768(2006.01)2014.04.16H01L23/522(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L25/065(2006.01)PCT/JP2012/0795092012.11.14H01L25/07(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01L25/18(2006.01)WO2013/073574JA2013.05.23(71)申请人罗姆股份有限公司地址日本京都府(72)发明人三桥敏郎权权利要求书3页利要求书3页说明书15页说明书15页附图25页附图25页(54)发明名称半导体装置及其制造方法、电子部件(57)摘要提供一种能够防止贯通电极中的空洞产生，并且与以往相比可靠性高的半导体装置及其制造方法、以及电子部件。在Si基板(29)上的栅极绝缘膜(30)上形成电极层(51)。在栅极绝缘膜(30)上形成层间绝缘膜(31)后，通过镶嵌法，形成包括与电极层(51)为相同图案的下侧布线(42)、和为相反图案的下侧绝缘膜(43)在内的下侧极板(40)。接着，形成贯通孔(59)，同时，在贯通孔(59)内使形成有与下侧绝缘膜(43)为相同图案的突出部(60)的第1层间绝缘膜(32)露出。然后，在按照突出部(60)的一部分作为蚀刻残渣而残留的方式对第1层间绝缘膜(32)进行蚀刻后，形成通孔绝缘膜(38)，并对贯通孔(59)底面的通孔绝缘膜(38)进行蚀刻。接着，通过在贯通孔(59)的通孔绝缘膜(38)的内侧使电极材料镀覆生长，来形成贯通电极(17)。CN103875063ACN1038756ACN103875063A权利要求书1/3页1.一种半导体装置，包括：半导体基板；栅极绝缘膜，其形成在所述半导体基板的表面；层间绝缘膜，其形成在所述栅极绝缘膜上；表面电极，其包括具有以规定图案选择性地埋入至所述层间绝缘膜的镶嵌结构的多个布线、和使用所述层间绝缘膜的一部分来配置在相邻的所述布线间的布线间绝缘膜；贯通电极，其在所述半导体基板的所述表面与背面之间贯通，并与所述表面电极电连接；和通孔绝缘膜，其设置在所述贯通电极与所述半导体基板之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述表面电极还包括：对置部，该对置部与所述贯通电极对置；伸出部，该伸出部在横向上从所述对置部伸出；和电极层，该电极层配置在所述栅极绝缘膜与所述层间绝缘膜之间，与所述伸出部的所述布线为相同的图案。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述表面电极还包括：对置部，该对置部与所述贯通电极对置；伸出部，该伸出部在横向上从所述对置部伸出；和绝缘层，该绝缘层埋入至所述半导体基板的所述表面，并与所述伸出部的所述布线间绝缘膜为相同的图案。4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述表面电极中的与所述贯通电极之间的连接面上，所述布线与所述布线间绝缘膜被齐平地形成。5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述表面电极中，所述布线与所述布线间绝缘膜交替排列为条纹状。6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述布线包括Cu布线。7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述表面电极包括隔着多个所述层间绝缘膜而层叠的多层电极。8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括配置在所述贯通电极的正上方位置的外部连接用的表面凸块，使得在所述表面凸块与所述贯通电极之间放置所述表面电极。9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括配置在所述贯通电极的所述背面侧的端部的、外部连接用的背面凸块。10.根据权利要求1～9中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述贯通电极形成为圆柱状。11.根据权利要求1～10中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，2CN103875063A权利要求书2/3页所述半导体基板的所述表面包括形成有多个半导体元件的元件形成面。12.一种电子部件，包括：中介层，其在背面具有多个外部端子；权利要求1～11中的任意一项所述的半导体装置，该半导体装置在所述中介层的表面，以所述表面朝向上方的