半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统.pdf
丹烟****魔王
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半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统.pdf
本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置,并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1),具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。
半导体装置及其制造方法、电子部件.pdf
提供一种能够防止贯通电极中的空洞产生,并且与以往相比可靠性高的半导体装置及其制造方法、以及电子部件。在Si基板(29)上的栅极绝缘膜(30)上形成电极层(51)。在栅极绝缘膜(30)上形成层间绝缘膜(31)后,通过镶嵌法,形成包括与电极层(51)为相同图案的下侧布线(42)、和为相反图案的下侧绝缘膜(43)在内的下侧极板(40)。接着,形成贯通孔(59),同时,在贯通孔(59)内使形成有与下侧绝缘膜(43)为相同图案的突出部(60)的第1层间绝缘膜(32)露出。然后,在按照突出部(60)的一部分作为蚀刻残
半导体制造装置及半导体装置的制造方法.pdf
本发明的实施方式提供一种可对作为贴合对象的衬底良好地进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备改质部,所述改质部对第1衬底进行部分改质,在所述第1衬底内的第1部分与第2部分之间形成改质层。所述装置还具备接合部,所述接合部在所述第1部分与第2衬底之间形成将所述第1部分与所述第2衬底接合的接合层。所述装置还具备去除部,所述去除部通过将所述第1部分与所述第2部分分离,使所述第1部分残存于所述第2衬底的表面,并从所述第2衬底的表面去除所述第2部分。
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具备基板、设置于基板的半导体芯片、被覆半导体芯片的树脂及设置于树脂的金属膜。金属膜具备第1金属层、设置于第1金属层的第2金属层及设置于第2金属层的第3金属层。第1金属层和第2金属层包含相同的材料。第2金属层的粒径比第1金属层的粒径小、和/或第2金属层的电阻率比第1金属层的电阻率大。
半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时,在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后,进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×10