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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113015583A(43)申请公布日2021.06.22(21)申请号201980074607.5(74)专利代理机构北京德琦知识产权代理有限(22)申请日2019.10.25公司11018代理人辛雪花周艳玲(30)优先权数据2018-2157912018.11.16JP(51)Int.Cl.B08B7/00(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/205(2006.01)2021.05.12(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0418702019.10.25(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/100554JA2020.05.22(71)申请人大阳日酸株式会社地址日本东京(72)发明人山口晃有村忠信权利要求书2页说明书16页附图6页(54)发明名称半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统(57)摘要本发明的目的是提供一种能够通过简单的结构来防止反应生成物附着到清洗处理炉内的半导体制造装置部件的清洗装置,并且提供一种半导体制造装置部件的清洗装置(1),具备用于收容半导体制造装置部件(10)的清洗处理炉(2)、加热装置(3)、气体导入管(4)、气体排出管(5)、减压装置(6)、第一温度控制装置(7)、第二温度控制装置(8)及吹扫气体供给机构(9)。CN113015583ACN113015583A权利要求书1/2页1.一种半导体制造装置部件的清洗装置,在所述半导体制造装置部件上附着有半导体,所述半导体制造装置部件的清洗装置具备:清洗处理炉,用于收容所述半导体制造装置部件;加热装置,用于对所述清洗处理炉内的所述半导体制造装置部件进行加热;减压装置,用于对所述清洗处理炉内进行真空排气;气体导入管,用于向所述清洗处理炉内导入与所述半导体反应的清洁气体;气体排出管,用于从所述清洗处理炉内排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物;第一温度控制装置,用于将所述清洗处理炉内的表面的温度维持在所需范围内;以及第二温度控制装置,用于将所述气体排出管内的温度维持在所需范围内。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,所述清洗处理炉具有至少一端开口的石英制的反应管和堵塞所述开口的金属制的第一凸缘。3.根据权利要求1所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,所述清洗处理炉具有两端开口的石英制的反应管、堵塞所述开口的一端侧的金属制的第一凸缘和堵塞所述开口的另一端侧的金属制的第二凸缘。4.根据权利要求2或3所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,所述第一温度控制装置具有一个以上的温度控制机构,一个以上的所述温度控制机构分别独立地对所述反应管及所述凸缘中的构造所述清洗处理炉内的表面的一个以上的部分进行温度控制。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧设置有至少一个所述温度控制机构。6.根据权利要求4或5所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,所述温度控制机构是通过液体的供给和液体的循环中的任一种或两种来进行温度控制的。7.根据权利要求6所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,所述温度控制机构具有:一个以上的换热部,设置在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧且由所述液体的流路形成;一个以上的供给路径,用于向所述换热部供给所述液体;一个以上的排出路径,用于从所述换热部排出所述液体;一个以上的返送路径,从至少一个以上的所述排出路径分支,并且合流到至少一个以上的所述供给路径,用于将所述排出路径内的一部分液体返送到所述供给路径;一个以上的第一开闭阀,设置在所述供给路径上,用于阶段性地或者连续地调节向所述换热部供给的所述液体的供给量;一个以上的温度测定装置,设置在所述排出路径上;以及一个以上的加压输送装置,设置在所述返送路径上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,2CN113015583A权利要求书2/2页进一步具备吹扫气体供给机构,所述吹扫气体供给机构从所述清洗处理炉的外侧向所述清洗处理炉的间隙供给经温度控制的吹扫气体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置,其中,所述半导体为由通式AlxInyGa1‑x‑yN表示的氮化物类化合物半导体,其中,x、y为0≤x<1、0≤y<1、0≤x+y<1,所述清洁气体为氯类气体。10.一种半导体制造装置部件的清洗方法,使用权利要求1至9中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置,所述半导体制造装置部件的清洗方法将附着有半导体的半导体制造装