基板检查装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104380448A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.02.25(21)申请号201380029449.4代理人龙淳(22)申请日2013.05.31(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L21/66(2006.01)2012-1274352012.06.04JPG01R31/28(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.12.04(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2013/0657672013.05.31(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/183741JA2013.12.12(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人山田浩史(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司11322权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称基板检查装置(57)摘要本发明提供一种能够不在基板的半导体器件的各电极上留下深的针迹，而且能够防止探针的折断、基板的破裂的基板检查装置。基板检查装置(10)维持晶片(W)与探针卡(17)之间的密闭空间(S)的减压状态，并维持探针卡(17)的各探针(15)与形成在晶片(W)的半导体器件的各电极的抵接状态，基板检查装置(10)包括对密闭空间(S)进行减压的喷射器(23)，喷射器(23)包括：吸引端口(29)；与该吸引端口(29)连通的真空室(31)；与该真空室(31)连通的排出端口(34)；和向真空室(31)高速喷出流体的喷嘴(32)，该喷嘴(32)与排出端口(34)正对，吸引端口(29)与密闭空间(S)连通。CN104380448ACN104380448A权利要求书1/1页1.一种基板检查装置，其通过维持基板与探针卡之间的密闭空间的减压状态来维持所述探针卡的各探针与形成在所述基板的半导体器件的各电极的抵接状态，所述基板检查装置的特征在于：包括对所述密闭空间进行减压的减压装置，所述减压装置包括：吸引口；与该吸引口连通的真空室；与该真空室连通的排出口；和向所述真空室高速喷出流体的喷出口，该喷出口与所述排出口正对，所述吸引口与所述密闭空间连通。2.如权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于：流体从所述喷出口的喷出使用由电动气动调节阀产生的正压。3.如权利要求1或2所述的基板检查装置，其特征在于：在使所述基板向所述探针卡移动，使所述探针卡的各探针与形成在所述基板的半导体器件的各电极抵接后，进而使所述基板向所述探针卡移动规定量。4.如权利要求3所述的基板检查装置，其特征在于：所述规定量为10μm～150μm。2CN104380448A说明书1/5页基板检查装置技术领域[0001]本发明涉及具有探针卡的基板检查装置。背景技术[0002]作为基板检查装置，已知有例如对形成在作为基板的晶片的多个半导体器件进行电特性检查的探针装置。[0003]通常，探针装置包括：载置晶片并在X、Y、Z和θ方向上移动的载置台；配置在载置台的上方的顶板；和以与该载置台相对的方式安装到该顶板的探针卡，探针卡具有向载置台突出的多个探针(检查针)。[0004]在该探针装置中，载置台与顶板相对移动，进行探针卡的各探针与形成于晶片的半导体器件的各电极的定位(对位)，然后，载置台上升，使晶片的各电极与探针卡的各探针接触，对形成于晶片的多个半导体器件进行电特性检查。[0005]通常，在探针装置中，使载置台向Z方向机械地移动，由此将晶片压向探针卡，但由于由各探针的前端构成的抵接面与载置晶片的载置台的载置面并不一定平行，所以有时多个探针的一部分与半导体器件的多个电极的一部分过度抵接，而另一方面，多个探针的另一部分与多个电极的另一部分不抵接。即，存在不能使所有的探针均匀地与半导体器件的各电极抵接的问题。[0006]于是，提出了这样一种探针装置，其在载置有晶片的晶片托盘与探针卡之间形成密闭空间，对该密闭空间进行减压，按每一个晶片托盘，使晶片吸引到探针卡(例如参照专利文献1)。[0007]密闭空间内的压力当然会变均匀，所以能够使晶片在整个面以均匀的力被吸引到探针卡，而且能够使所有的探针与半导体器件的各电极大致均匀地抵接。在该探针装置中，为了对密闭空间减压，使用由电动气动调节阀(电-气调节阀)产生的负压。[0008]现有技术文献[0009]专利文献[0010]专利文献1：日本特开2010-186998号公报发明内容[0011]发明想要解决的技术问题[0012]然而，在电动气动调节阀中，通过该电动气动调节阀所具有的多个阀门的开闭产生负压，所以压力的控制幅度大，难以产生绝对值小的负压。[0013]当负压的绝对值大时，密闭空间的减压幅度也变大，导致有时各探针与半导体器件的各电极强力地抵接而在各电极