一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105772119A(43)申请公布日2016.07.20(21)申请号201610125468.2(22)申请日2016.03.04(71)申请人北京乐普医疗科技有限责任公司地址102200北京市昌平区超前路37号7-1号楼(72)发明人张单单胡飞熊晶邱笑违余占江(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人巩克栋侯潇潇(51)Int.Cl.B01L3/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法(57)摘要本发明提供了一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，通过对PDMS微流控芯片进行等离子体处理以及硅烷化处理，再与多聚赖氨酸偶联，多聚赖氨酸以共价结合的方式牢固结合在芯片表面，形成了能高效固定蛋白质的微流控芯片。这样修饰得到的芯片不但保留有信噪比高、结合容量高、点间变异系数低等多聚赖氨酸修饰法的一般优点，更重要的是解决了多聚赖氨酸以物理吸附的方式与芯片结合不牢固，尤其是在微流控的应用中易脱落的问题。CN105772119ACN105772119A权利要求书1/2页1.一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述方法为：对PDMS微流控芯片进行等离子体活化处理和硅烷化处理，而后在交联剂作用下与多聚赖氨酸共价结合，实现对PDMS微流控芯片表面的多聚赖氨酸修饰。2.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述等离子体活化处理为：PDMS微流控芯片经初步超声清洗后，用等离子体活化处理1-15min；优选为3-10min；优选地，所述等离子体活化处理时等离子体发生功率为10-20kw，等离子体空气流量200-300mL/min；优选地，所述超声清洗为利用去离子水进行超声清洗。3.根据权利要求1或2所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化处理为将等离子体活化处理后的PDMS微流控芯片置于硅烷化试剂溶液中进行硅烷化处理，得到硅烷化处理的PDMS微流控芯片。4.根据权利要求3所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化试剂为3-氨丙基三甲氧基硅氧烷、二氯二甲基硅烷、三甲基氯硅烷或六甲基二硅氨烷中的任意一种或至少两种的组合，优选为3-氨丙基三甲氧基硅氧烷。5.根据权利要求1-4中任一项所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述硅烷化试剂溶液为硅烷化试剂的乙醇溶液，浓度为0.1-10％，优选为1-2％；优选地，所述硅烷化处理的温度为50-70℃，优选为60-65℃；优选地，所述硅烷化处理的时间为25-90min，优选为45-75min。6.根据权利要求1-5中任一项所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述在交联剂作用下与多聚赖氨酸共价结合的方法为：将硅烷化处理后的PDMS微流控芯片置于多聚赖氨酸溶液中，在交联剂的作用下进行共价结合；优选地，所述交联剂为1-乙基-3(3-二甲氨丙基)碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺、戊二醛、4-马来酰亚胺基丁酸-N-琥珀酰亚胺酯、3-马来酰亚胺基苯甲酸琥珀酰亚胺酯中的任意一种或至少两种的组合，优选为1-乙基-3(3-二甲氨丙基)碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺；优选地，所述交联剂的用量使得其在反应体系中的浓度为0.05-10mg/mL，优选为0.1-1mg/mL。7.根据权利要求6所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述多聚赖氨酸溶液为多聚赖氨酸硼酸溶液或多聚赖氨酸水溶液；优选地，所述多聚赖氨酸的重均分子量为10万-100万，优选为15万-30万。8.根据权利要求6或7所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述多聚赖氨酸溶液的浓度为0.1-10mg/mL，优选为1-10mg/mL。9.根据权利要求1-8中任一项所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述修饰方法包括以下步骤：(1)将PDMS微流控芯片经初步超声清洗，而后用等离子体活化处理1-15min，得到等离子体活化处理后的PDMS微流控芯片；(2)将等离子体活化处理后的PDMS微流控芯片置于硅烷化溶液中，50-70℃下处理25-90min，得到硅烷化处理的PDMS微流控芯片；(3)将硅烷化处理的PDMS微流控芯片置于多聚赖氨酸溶液中，在交联剂作用下进行共2CN105772119A权利要求书2/2页价结合，实现对PDMS微流控芯片表面的多聚赖氨酸修饰。10.由权利要求1-9中任一项所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法得到的多聚赖氨酸表面修饰的PDMS微流控芯片。3CN1057