一种微流控芯片表面亲水修饰方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108126766A(43)申请公布日2018.06.08(21)申请号201711363845.7(22)申请日2017.12.18(71)申请人深圳市梅丽纳米孔科技有限公司地址518000广东省深圳市坪山新区坪山街道锦龙大道宝山路16号海科兴战略新兴产业园B栋8楼(72)发明人文豪(74)专利代理机构深圳市精英专利事务所44242代理人龙丹丹(51)Int.Cl.B01L3/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种微流控芯片表面亲水修饰方法(57)摘要本发明公开了一种微流控芯片表面亲水修饰方法，该反应条件温和，在水溶液常温条件下就能快速进行，反应条件不会对芯片内部的电极、检测器等微结构造成损害。附着在芯片表面的聚多巴胺粘附力强，聚多巴胺分子上的亲水氨基能长时间维持芯片表面及通道内部的亲水性。此外，聚多巴胺中氧化后形成的苯醌结构很容易与含有巯基(-SH)和氨基(-NH2)的分子发生迈克尔加成反应和席夫碱反应，通过此步反应，芯片表面还可进一步修饰PEG等功能性分子，芯片亲水性显著提高且能长时间保持并能降低带电分子的吸附。CN108126766ACN108126766A权利要求书1/1页1.一种微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、配制多巴胺溶液，将多巴胺溶解于Tris·HCl缓冲液中，即得多巴胺溶液，所述多巴胺溶液中多巴胺浓度为0.5-5mg/mL；S2、多巴胺修饰微流控芯片，将微流控芯片置于所述步骤S1制得的多巴胺溶液中，搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干，得到多巴胺修饰的微流控芯片。2.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，还包括如下步骤：S3、配制PEG-NH2溶液，将PEG-NH2溶解于Tris·HCl缓冲液中，即得PEG-NH2溶液，所述PEG-NH2溶液中，PEG-NH2的浓度为0.5-5mg/mL；S4、PEG修饰微流控芯片，将经步骤S2修饰过的微流控芯片置于所述PEG-NH2溶液中，搅拌反应后冲洗、浸泡并晾干，得到PEG修饰的微流控芯片。3.根据权利要求2所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述Tris·HCl缓冲液的pH值为8.0-9.0。4.根据权利要求3所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述步骤S1中的Tris·HCl缓冲液浓度为50mM，所述步骤S3中的Tris·HCl缓冲溶液浓度为10mM。5.根据权利要求4所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述PEG-NH2的分子结构式为分子量为500-1000Da。6.根据权利要求5所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述步骤S2中，搅拌速度为100-500r/min，搅拌时间为1-24h，搅拌反应过程中反应温度为25℃。7.根据权利要求6所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述步骤S4中，搅拌速度为100-500r/min，搅拌时间为4-24h，搅拌反应过程中反应温度为40-60℃。8.根据权利要求7所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述步骤S2、S4中所述的搅拌反应为隔离磁力搅拌，所述隔离磁力搅拌为采用多孔PTFE薄板将微流控芯片与磁子隔离。9.根据权利要求8所述的微流控芯片表面亲水修饰方法，其特征在于，所述步骤S2、S4中所述搅拌反应在敞口条件下进行，所述清洗采用去离子水清洗，清洗后还包括用去离子水浸泡24h的步骤。2CN108126766A说明书1/5页一种微流控芯片表面亲水修饰方法技术领域[0001]本发明属于分析检测技术领域，涉及一种微流控芯片表面处理工艺，具体地说涉及一种微流控芯片表面高分子亲水修饰方法。背景技术[0002]从1990年首次提出微型全分析系统的概念开始，到2003年微流控技术被评为影响人类未来15件最重要的发明之一，微流控技术得到了飞速的发展，其中微流控芯片技术作为当前分析科学的重要发展前沿，在生物、化学、医药等领域都发挥着巨大的作用。微流控芯片技术又称“芯片实验室”(labonachip)，是一种高度集成的生物化学自动化分析技术平台，在生物物理分析、化学检测以及疾病临床诊断等领域都有着巨大的应用前景。[0003]微流控芯片一般包括基底和结构两部分，基底通常为玻璃和硅片材料，结构部分则多为高分子材料(如PDMS，PMMA和SU8等)搭建的微米级别的流体通道即微通道，微流控芯片及其微通道表面的性质一定程度上决定了微流控芯片的功能和应用领域。大多数基于高分子聚合物的微流控芯片表面均具有很强的疏水性，这种性质严重影响到水溶液流体向通道内的进入及在通道中的流动性，因而大大限制了被分析物的范围，降低了微流控芯片的实用性。[0004]为